[实用新型]一种半桥电路及具有所述半桥电路的电视机

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种半桥电路，具体地说，是涉及一种降低由于寄生参数的存在而对集成芯片造成损害的半桥电路。

背景技术

半桥电路适合于输入电压较高的场合，近年来，在开关电源、电动机驱动及DC/AC变换器等领域得到了广泛的应用。如图1所示，常用的半桥电路包括开关电路1和开关电路2，这两个开关电路串联连接在一个高压电源HV和地之间，开关电路的交替导通和关断通过一个驱动控制电路进行控制，驱动控制电路一般选用集成芯片来实现。在两个开关电路的公共节点处形成输出端OUT，在输出端上可连接变压器或其他负载。在半桥电路的应用过程中，如果输出功率比较大，由于电路中寄生电感等的存在，容易在输出端产生较大的负电压脉冲，如图2所示。该负脉冲会损害驱动控制集成芯片，导致集成芯片损坏率较高。当集成芯片损坏后，不仅无法输出正常的信号以控制开关电路，通常还会导致开关电路中的元器件损坏，严重影响整个电路的正常工作。

为解决上述问题，现有技术中通常采用增加开关电路中开关管的驱动电阻的方法。这种方法的缺陷在于：由于增加了驱动电阻，导致开关电路中开关管的开关速度变慢，影响电路的正常工作；不仅如此，增大驱动电阻的方法还会导致开关管发热现象更加严重，损坏率增加。

基于上述原因，如何更有效地解决半桥电路中寄生参数产生的负电压脉冲对驱动控制电路造成损坏、进而损坏开关电路的问题，则是本实用新型所研究的主旨所在。

发明内容

本实用新型为了解决半桥电路中寄生参数产生的负电压脉冲造成的驱动控制电路及开关电路损坏的技术问题，提供了一种半桥电路，通过在输出端与驱动控制电路之间连接限流电阻，在不影响开关电路开关速度的基础上，有效解决了负电压脉冲对电路器件造成损坏的问题。

为解决上述技术问题，本实用新型采用以下技术方案予以实现：

一种半桥电路，包括第一可控开关电路和第二可控开关电路，所述第一开关电路的开关通路与所述第二开关电路的开关通路串联连接在直流高压输入端与地之间，在所述第一开关电路与第二开关电路的公共节点处形成输出端；所述第一开关电路的控制端一方面通过第一驱动导通电阻与一驱动控制电路的第一控制端连接，另一方面连接第一二极管的正极，而第一二极管的负极连接第一驱动关断电阻，进而通过所述第一驱动关断电阻与所述第一控制端连接；所述第二开关电路的控制端一方面通过第二驱动导通电阻与所述驱动控制电路的第二控制端连接，另一方面连接第二二极管的正极，而第二二极管的负极连接第二驱动关断电阻，进而通过所述第二驱动关断电阻与所述第二控制端连接；其特征在于，所述输出端连接有限流电阻，所述限流电阻一方面直接连接所述驱动控制电路的充电电压输出端子，另一方面通过电容与所述驱动控制电路的浮地驱动端子连接。

进一步地，所述第一驱动关断电阻的阻值为0Ω。这样可以选择阻值较大的限流电阻，既能充分限制负电压脉冲对驱动控制电路的损害，而且还不影响开关电路的开关速度。

上述开关电路中包含有开关管，所述开关管可以为N沟道MOS管。其中，所述第一开关电路中包含第一N沟道MOS管，所述第一MOS管的漏极与所述直流高压输入端连接，所述第一MOS管的源极与所述输出端连接，所述第一MOS管的栅极一方面通过第一驱动导通电阻与所述第一控制端连接，另一方面通过第一二极管和第一驱动关断电阻的串联电路与第一控制端连接。所述第二开关电路中包含第二N沟道MOS管，所述第二MOS管的漏极与所述第一MOS管的源极连接，所述第二MOS管的源极与地连接，所述第二MOS管的栅极一方面通过第二驱动导通电阻与所述第二控制端连接，另一方面通过第二二极管和第二驱动关断电阻的串联电路与第二控制端连接。

进一步地，所述第一N沟道MOS管和第二N沟道MOS管的漏极与源极之间分别并联有续流二极管；所述续流二极管的正极连接所述MOS管的源极，所述二极管的负极与所述MOS管的漏极连接。

开关电路中的开关管也可以是NPN型晶体管。其中，所述第一开关电路中包含第一NPN型晶体管，所述第一晶体管的集电极与所述直流高压输入端连接，所述第一晶体管的发射极与所述输出端连接，所述第一晶体管的基极一方面通过第一驱动导通电阻与所述第一控制端连接，另一方面通过第一二极管和第一驱动关断电阻的串联电路与第一控制端连接。所述第二开关电路中包含第二NPN型晶体管，所述第二晶体管的集电极与所述第一晶体管的发射极连接，所述第二晶体管的发射极与地连接，所述第二晶体管的基极一方面通过第二驱动导通电阻与所述第二控制端连接，另一方面通过第二二极管和第二驱动关断电阻的串联电路与第二控制端连接。