[发明专利]磁电容无效

专利信息
申请号: 200810246061.0 申请日: 2008-12-22
公开(公告)号: CN101483099A 公开(公告)日: 2009-07-15
发明(设计)人: 杨贻方 申请(专利权)人: 杨贻方
主分类号: H01G4/00 分类号: H01G4/00;H01G4/002
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 213241江苏省金坛市朱林镇朱林*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 磁电
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种电器,尤其是一种电容器。

背景技术

电容的容量表示电容所能储存的电荷的多少,常用电解电容的单位是微法,用在电源中用来滤除波纹电压,使得直流电压纯净,目前电容单位体积的容量都很小。

发明内容

本发明针对现有技术的缺陷,提供一种容量大的电容器。

为了实现上述目的,本发明采取以下措施来实现:

一种磁电容,包括绝缘体,电极,其特征在于设置H型绝缘体,绝缘体在两电极之间,另外在两电极之间增加多块磁铁,形成磁场,从而获得大容量的电容器。

本发明相对于已有技术具有如下特点:增加一磁场,提高了电容的容量。

附图说明

附图为磁电容的结构示意图。

其中:1,磁铁;2,电极;3,电极;4,绝缘体;5,磁铁。

具体实施方式

结合附图加以说明:

绝缘体4为H形状,设置在电极2、3之间,H型绝缘体4两侧为磁铁1、5,电容通电后,两磁铁1、5形成磁场,从而增大电容的容量。

实际中,本发明的电容容量比相同体积的电容要增大40%,性能良好。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杨贻方,未经杨贻方许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810246061.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top