[发明专利]静电放电检测装置有效

专利信息
申请号: 200810210921.5 申请日: 2008-08-12
公开(公告)号: CN101650394A 公开(公告)日: 2010-02-17
发明(设计)人: 张全汪 申请(专利权)人: 金宝电子工业股份有限公司
主分类号: G01R31/00 分类号: G01R31/00;G01R29/12
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人: 陈 晨
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 静电 放电 检测 装置
【权利要求书】:

1.一种静电放电检测装置,其特征在于用以测试待测物,该静电放电检 测装置包括有:

静电产生模块,耦接于该待测物,用以提供静电来对该待测物进行放电, 进而使该待测物输出静电信号;

静电放电检测模块,耦接于该待测物,用以接收该静电信号,并将该静 电信号进行衰减以及延迟总延迟时间后输出;该静电放电检测模块包括有:

静电接收电路,用以接收该静电信号,该静电接收电路包括第一开 关元件,该第一开关元件的集电极耦接于电压源,该第一开关 元件的基极耦接于该静电信号;以及

多个延迟电路,耦接于该静电接收电路,用以衰减并延迟该静电信 号,所述多个延迟电路中的第一级延迟电路耦接于该静电接收 电路,第二级延迟电路耦接于该第一级延迟电路,且之后的每 一级延迟电路依序两两耦接,每一延迟电路会延迟该静电信号 特定时间;以及

显示模块,耦接于该静电放电检测模块,用来接收该静电放电检测模块 传来的该静电信号,以产生驱动信号,并依据该驱动信号的强弱来表示该静 电信号的大小。

2.如权利要求1所述的静电放电检测装置,其特征在于每一延迟电路中 包括晶体管以及电容,每一晶体管的集电极耦接于该电压源,该第一级延迟 电路的该晶体管的基极耦接于该第一开关元件的发射极,当该第一开关元件 导通时,该电压源对该第一级延迟电路的该电容进行充电;当该第一开关元 件关闭时,该第一级延迟电路的该电容对该第一级延迟电路的该晶体管进行 放电。

3.如权利要求2所述的静电放电检测装置,其特征在于所述多个延迟电 路中,第i级延迟电路的晶体管的基极耦接于第i-1级延迟电路的晶体管的发 射极,当该第i-1级延迟电路的该晶体管导通时,该电压源对该第i级延迟电 路的电容进行充电;当该第i-1级延迟电路的该晶体管关闭时,该第i级延迟 电路的该电容对该第i级延迟电路的该晶体管进行放电,其中2≤i≤N。

4.如权利要求3所述的静电放电检测装置,其特征在于该显示模块包括 第二开关元件、第三开关元件以及至少一个显示元件,该第二开关元件接收 第N级延迟电路传来的该静电信号后导通,以产生触发信号来导通该第三开 关元件,进而驱动该显示元件。

5.如权利要求4所述的静电放电检测装置,其特征在于该显示元件为发 光二极管或示波器。

6.如权利要求5所述的静电放电检测装置,其特征在于该发光二极管为 有机发光二极管。

7.如权利要求6所述的静电放电检测装置,其特征在于该有机发光二极 管为有机高分子发光二极管。

8.如权利要求4所述的静电放电检测装置,其特征在于该第一开关元 件、该第二开关元件、该第三开关元件以及所述晶体管为NPN双极型晶体 管。

9.如权利要求8所述的静电放电检测装置,其特征在于该NPN双极型 晶体管可由PNP双极型晶体管、N型金属氧化物半导体晶体管、P型金属氧 化物半导体晶体管、C型金属氧化物半导体晶体管、H型金属氧化物半导体 晶体管、D型金属氧化物半导体晶体管或V型金属氧化物半导体晶体管取代。

10.如权利要求1所述的静电放电检测装置,其特征在于该待测物为半 导体元件或电子装置或该电子装置中的电路路径。

11.如权利要求1所述的静电放电检测装置,其特征在于每一延迟电路 所延迟的该特定时间随着该延迟电路的级数增加而等比增加。

12.如权利要求11所述的静电放电检测装置,其特征在于每一延迟电路 所延迟的该特定时间加总后即为该总延迟时间。

13.如权利要求1所述的静电放电检测装置,其特征在于该显示模块在 该总延迟时间内表示该静电信号的大小。

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