[发明专利]磁记录头和磁记录装置有效

专利信息
申请号: 200810210004.7 申请日: 2008-08-22
公开(公告)号: CN101373597A 公开(公告)日: 2009-02-25
发明(设计)人: 山田健一郎;岩崎仁志;秋山纯一;高岸雅幸;船山知己;高下雅弘;清水真理子;村上修一;甲斐正 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: G11B5/127 分类号: G11B5/127;G11B5/31
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 代理人: 邬少俊;王英
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 记录 装置
【权利要求书】:

1.一种磁记录头,包括:

主磁极;

包括第一磁层、第二磁层和中间层的层叠体,该第一磁层具有低于由所 述主磁极施加的磁场的矫顽力,该第二磁层具有低于由所述主磁极施加的磁 场的矫顽力,并且该中间层设置在所述第一磁层和第二磁层之间;

一对电极,用于使电流通过所述层叠体;以及

屏蔽,

其中,所述第一磁层、中间层和第二磁层层叠为基本上平行于介质移动 方向,

所述层叠体夹置在所述屏蔽和所述主磁极之间。

2.根据权利要求1所述的磁记录头,其特征在于,

所述第一磁层的矫顽力低于所述第二磁层的矫顽力,以及

所述电流经由所述一对电极从所述第二磁层传输到所述第一磁层。

3.根据权利要求1所述的磁记录头,其特征在于,还包括:

设置在所述主磁极和所述层叠体之间的第三磁层,

其中所述第三磁层具有高于所述第一磁层的饱和磁通密度。

4.根据权利要求1所述的磁记录头,其特征在于,还包括:

设置在所述屏蔽和所述层叠体之间的第四磁层,

其中所述第四磁层具有高于所述第一磁层的饱和磁通密度。

5.根据权利要求1所述的磁记录头,其特征在于,还包括:

设置在所述电极其中之一与所述第一磁层之间的第五磁层,

其中所述第五磁层具有低于由所述主磁极施加的磁场的矫顽力。

6.根据权利要求5所述的磁记录头,其特征在于,

所述第五磁层包含从以下组中选择的至少一种材料:该组由Ru、W、 Re、Os、Ir、Sm、Eu、Tb、Gd、Dy、Ho、Rh和Pd组成。

7.根据权利要求1所述的磁记录头,其特征在于,

所述第二磁层包含从以下组中选择的至少一种材料:该组由Ru、W、 Re、Os、Ir、Sm、Eu、Tb、Gd、Dy、Ho、Rh和Pd组成。

8.根据权利要求1所述的磁记录头,其特征在于,

所述一对电极中比另一电极更靠近所述第二磁层的电极包含从以下组中 选择的至少一种材料:由Ru、Rh、Pd、Ir和Pt组成的组。

9.根据权利要求5所述的磁记录头,其特征在于,

所述一对电极中比另一电极更靠近所述第五磁层的电极包含从以下组中 选择的至少一种材料:由Ru、Rh、Pd、Ir和Pt组成的组。

10.根据权利要求1所述的磁记录头,其特征在于,

所述层叠体还包括临近所述第二磁层的第六磁层,

所述第二磁层设置在所述第六磁层和所述一对电极其中之一之间,并且

所述第六磁层具有高于所述第二磁层的饱和磁通密度。

11.根据权利要求10所述的磁记录头,其特征在于,

所述第六磁层的易磁化轴基本上垂直于面对所述层叠体的主磁极表面的 法线,并且

所述第六磁层的晶体各向异性磁场的绝对值大于或者等于所述第六磁层 的饱和磁通密度的一半。

12.根据权利要求5所述的磁记录头,其特征在于,

所述层叠体还包括临近所述第五磁层的第七磁层,

所述第五磁层设置在所述第七磁层和所述第一磁层之间,并且

所述第七磁层具有高于所述第五磁层的饱和磁通密度。

13.根据权利要求12所述的磁记录头,其特征在于,

所述第七磁层的易磁化轴基本上垂直于面对所述层叠体的主磁极表面的 法线,并且

所述第七磁层的晶体各向异性磁场的绝对值大于或者等于所述第七磁层 的饱和磁通密度的一半。

14.根据权利要求1所述的磁记录头,其特征在于,

所述第二磁层包括第八磁层和层叠在该第八磁层上的第九磁层,并且

所述第九磁层具有高于所述第八磁层的饱和磁通密度。

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