[发明专利]RF功率放大装置及控制RF功率放大器的电源电压的电源供给电路有效

专利信息
申请号: 200810149907.9 申请日: 2008-10-15
公开(公告)号: CN101414806A 公开(公告)日: 2009-04-22
发明(设计)人: 岛本健一;浪江寿典 申请(专利权)人: 株式会社瑞萨科技
主分类号: H03F3/24 分类号: H03F3/24;H03F1/30;H03F1/52;H03F1/02
代理公司: 北京市金杜律师事务所 代理人: 王茂华
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: rf 功率 放大 装置 控制 功率放大器 电源 电压 供给 电路
【说明书】:

技术领域

本发明涉及在与基站进行通信的安装在便携电话终端的RF (Radio Freqency:射频)发送用的RF功率放大装置及电源供给电路, 尤其涉及对即使长时间持续阻抗失配状态也会减少便携电话终端的 电池消耗有益的技术。

背景技术

公知有在如便携电话终端那样的通信终端设备中可将多个时隙 的每个时隙设定为空闲状态、从基站接收的工作、向基站发送的工作 中任一状态的时多分址(TDMA)接入方式。TDMA是Time-Division Multiple Access的简称。作为该TDMA方式之一,公知有仅使用相位 调制的GSM方式或GMSK方式。

还公知有与该GSM方式或GMSK方式相比改进了通信数据传送 速率的方式。作为该改进方式,使用相位调制和振幅调制的EDGE方 式最近广受关注。

GSM是Global System for Mobile Communication(全球通)的简 称。GMSK是Gaussian minimum Shift Keying(高斯最小移位键控) 的简称。另外,EDGE是Enhanced Data for GSM Evolution(增强型 数据速率GSM演进技术)(Enhanced Data for GPRS)的简称。GPRS 是General Packet Radio Service(通用分组无线业务)的简称。

作为实现EDGE方式的方法,公知有如下的极性环方式,即,将 应发送的发送信号分离成相位成分和振幅成分之后,用相位控制环和 振幅控制环分别进行反馈控制,用放大器合成反馈控制后的相位成分 和振幅成分。

在下述非专利文献1中记载了具有相位控制环和振幅控制环并支 持EDGE方式发送功能的极性环发送器。其中记载了:在便携电话中, 功率效率是重要的市场课题,在极性环方式中,由于RF功率放大器 在接近饱和时工作,因而具有功率效率优良这一优点。而且,记载了 由于该RF功率放大器的饱和工作带给极性环方式的附加优点是低噪 音特性。

在下述非专利文献2中记载了用于GSM中的GMSK和EDGE的 8PSK的极性调制发送机,用于斜坡升降(ramping)和调制的功率控 制通过集电极电源电压的控制来执行。AM调制的实施是通过与大电 流CMOSLDO非常类似的方式来实现的。在与CMOSLDO非常类似 的方式中,对差动放大器的反相输入端子供给AM控制输入信号,差 动放大器的输出信号被供给到P沟道MOS晶体管的栅极,P沟道MOS 晶体管的漏极输出经由电阻分压负反馈电路供给到差动放大器的非 反相输入端子。与AM控制输入信号成比例的P沟道MOS晶体管的 漏极输出信号作为集电极电源电压供给到RF功率放大器。此外,LDO 是指如下述非专利文献3记载那样的、低压降(输出低电压下降)的 串联调节器。

而且,在下述非专利文献2中还记载了用于调整RF功率放大器 的输入基极偏置的特殊的偏置校正技术。因此,使用使系统效率降低 的没有任何串联电阻损失的电流检测电路。该电流检测电路由将较小 尺寸的P沟道MOS晶体管与向RF功率放大器供给集电极电源电压 的较大尺寸P沟道MOS晶体管并联连接而成的简单的电流反射镜、 差动放大器、N沟道MOS晶体管、以及检测电阻构成。较小尺寸的 P沟道MOS晶体管的检测电流在检测电阻的两端被转换为检测电压, 检测电压被电压放大器放大。由其他的差动放大器比较电压放大器的 放大输出和偏置基准值,其他差动放大器的比较输出信号经由采样保 持电路而作为RF功率放大器的基极偏置进行供给。

另一方面,在下述非专利文献3中记载有包括对由负载短路等引 起的过大输出电流进行保护的保护电路的低压降(输出低电压下降) 的调节器。该调节器由带隙参照电压发生器、电压输出器的第一控制 环和检测输出电流的第二控制环构成。第二控制环的检测电阻将与输 出电流成比例的检测电流转换为检测电压,由比较器比较检测电压与 基准电压。当检测电压高于基准电压时,由比较器的输出控制的晶体 管对电压输出器的输出电路的输入进行分流。其结果,在该调节器输 出约1.2V时,具有5.3A的电流限制特性。

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