[发明专利]发光物质有效
| 申请号: | 200810146781.X | 申请日: | 2005-01-17 |
| 公开(公告)号: | CN101358131A | 公开(公告)日: | 2009-02-04 |
| 发明(设计)人: | 罗夫·冈朵拉;涂斯·瓦特;李贞勋 | 申请(专利权)人: | 汉城半导体股份有限公司;罗夫·冈朵拉;涂斯·瓦特 |
| 主分类号: | C09K11/80 | 分类号: | C09K11/80;C09K11/79;C09K11/86;C09K11/75;C09K11/66;C09K11/67;C09K11/81;H01L33/00 |
| 代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
| 地址: | 韩国首尔市*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 发光 物质 | ||
1.一种发光物质,适用于紫外线与可见光激发,其特征在于该发光物 质包括:
一种含有主晶格及发光离子的化合物,在前述主晶格中的前述发光离 子包括至少一种稀土元素,
其中前述主晶格包括Ca、Sr和Ba中的至少一种碱土离子及氧;
其中在前述主晶格中一部分的前述碱土离子被二价铜离子取代;及
其中所述的化合物为一个具有分子式(20)的化合物:
a(M’O)·dP2O5·e(M”’O)·f(M””2O3)·g(M””’O2)·h(M”””xOy)
(20)
其中,
M’包括Cu、或Cu及Pb的组合;
M”’包括Mg、Ca、Sr、Ba、Mn,或前述材料的任意组合;
M””为B、Al、La、Ga、In,或前述材料的任意组;
M”””为Si;
M”””为Eu;
0<a≤2;
0<d≤3;
0<e≤5;
0≤f≤3;
0≤g≤2;
0<h≤2;
1≤x≤2;以及
1≤y≤5。
2.根据权利要求1所述的发光物质,其特征在于其中所述的发光物质 是用以作为波长范围在300-400纳米的长波紫外线及/或波长范围在 380-500纳米的蓝光的转换体,以产生具有可见光光谱的光线,以及Ra>90 的高现色指数,该长波紫外线及/或蓝光是由一个或是多个发光组件中的主 要构件所产生的光线。
3.一种根据权利要求1所述的发光物质作为发光组件中的转换体的应 用,其特征在于所述转换体是用以转换波长范围在300-400纳米的长波紫 外线及/或波长范围在380-500纳米的蓝光,其中所述的发光物质是使用于 一发光二极管中,并且藉由单一化合物及/或多种单一化合物的混合物来实 现现色性达到Ia的白光。
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