[发明专利]电子发射装置

权利要求书

1.一种电子发射装置，包括：

基板；

阴极电极，在所述基板上且具有第一开口，所述阴极电极包括不透射紫外线的材料；

电子发射区域，在所述第一开口中且用于发射电子；和

栅电极，与所述阴极电极电绝缘且具有所述电子发射区域发射的电子从其穿过的第二开口，所述栅电极具有至少30％的紫外线透射率，

其中穿过所述电子发射区域的中心且垂直于所述基板的平表面的第一假想线和穿过所述第二开口的中心且垂直于所述基板的平表面的第二假想线之间的距离至多为0.5μm。

2.如权利要求1所述的电子发射装置，其中所述栅电极包括非氧化金属。

3.如权利要求2所述的电子发射装置，其中所述非氧化金属包括选自由Cr、Al、Mo、Ti、Yb、Ag、Mg₁₀Ag₁、和其组合构成的组的材料。

4.如权利要求3所述的电子发射装置，其中所述非氧化金属包括Cr，所述栅电极的厚度至多为400

5.如权利要求3所述的电子发射装置，其中所述非氧化金属包括Al，所述栅电极的厚度至多为250

6.如权利要求3所述的电子发射装置，其中所述非氧化金属包括Mg₁₀Ag₁，所述栅电极的厚度至多为200

7.如权利要求3所述的电子发射装置，其中所述非氧化金属包括Ag和选自由Cr、Al和Yb组成的组的至少一种元素，所述至少一种元素和Ag在所述栅电极中彼此分层使得所述至少一种元素在所述基板和Ag之间。

8.如权利要求1所述的电子发射装置，其中所述栅电极的厚度至多为30nm。

9.如权利要求1所述的电子发射装置，还包括将所述阴极电极与所述栅电极电绝缘的绝缘层，

其中所述绝缘层具有与所述第一开口和所述第二开口相通的第三开口，在所述绝缘层邻接所述阴极电极的平面处，所述第三开口的边界围绕所述第一开口的边界或者与所述第一开口的边界一致。

10.如权利要求1所述的电子发射装置，其中所述第一开口被填充有所述电子发射区域。

11.如权利要求1所述的电子发射装置，其中所述阴极电极包括：

电阻层，包括不透射紫外线的材料；以及

导电层，电连接到所述电阻层，

其中所述第一开口位于所述电阻层中。

12.如权利要求1所述的电子发射装置，还包括不透射紫外线的聚焦电极，其位于所述栅电极上且与所述栅电极电绝缘。

13.如权利要求12所述的电子发射装置，其中所述阴极电极的通过所述第一开口邻接所述电子发射区域的部分的紫外线透射率至少为30％。

14.如权利要求13所述的电子发射装置，其中所述阴极电极的所述部分包括非氧化金属，且其中所述非氧化金属包括选自由Cr、Al、Mo、Ti、Yb、Ag、Mg₁₀Ag₁、和其组合构成的组的至少一种材料。

15.如权利要求13所述的电子发射装置，其中所述阴极电极的所述部分的厚度至多为30nm。

16.如权利要求1所述的电子发射装置，其中所述阴极电极包括：

主电极和与所述主电极分隔开的隔离电极；

电阻层，其连接所述主电极和所述隔离电极且包括不透射紫外线的材料；以及

导电层，其在所述主电极上且邻接所述电阻层，

其中所述隔离电极的紫外线透射率至少为30％。

17.如权利要求16所述的电子发射装置，其中所述隔离电极包括非氧化金属。

18.如权利要求17所述的电子发射装置，其中所述非氧化金属包括选自由Cr、Al、Mo、Ti、Yb、Ag、Mg₁₀Ag₁、和其组合构成的组的至少一种材料。

19.如权利要求18所述的电子发射装置，其中所述非氧化金属包括Cr，且所述隔离电极的厚度至多为400