[发明专利]显示装置

说明书

本申请是申请号为200510125921.1，申请日为2005年11月25日，申请人为“三洋电机株式会社”，发明名称为“显示装置”的中国专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及一种显示装置，尤其是关于具有移位缓存器电路的显示装置。

背景技术

以往，电阻负载型的反相器电路已为人所知。该反相器电路被揭示在例如岸野正刚着“半导体元件的基础”，日本Ohm公司出版，1985年4月25日，pp.184-187。此外，以往，关于包含上述电阻负载型的反相器电路的移位缓存器电路也已为人所知。移位缓存器电路被用于例如将液晶显示装置及有机电激发光显示装置的栅极线与漏极线加以驱动的电路。

图18是显示包含传统的电阻负载型反相器电路的移位缓存器电路的电路图。参照图18，传统的移位缓存器电路1000a由第1电路部1001a及第2电路部1002a所构成。此外，第2段的移位缓存器电路1000b由第1电路部1001b及第2电路部1002b所构成。

构成第1段的移位缓存器电路1000a的第1电路部1001a，包含n沟道晶体管NT201及NT202、电容C201及电阻R201。以下，在传统技术的说明中，n沟道晶体管NT201及NT202被分别称为晶体管NT201及NT202。晶体管NT201的源极连接于节点ND201，且对于漏极被输入有开始信号ST。对于该晶体管NT201的栅极，供应有时钟信号CLK1。此外，晶体管NT202的源极连接于负侧电位VSS，同时漏极连接于节点ND202。此外，电容C201的一方的电极连接于节点ND201，且另一方的电极连接于负侧电位VSS。此外，电阻R201的一方端子连接于正侧电位VDD，且另一方端子连接于节点ND202。此外，通过晶体管NT202及电阻R201来构成反相器电路。

此外，构成第1段的移位缓存器电路1000a的第2电路部1002a，包含n沟道晶体管NT203及电阻R202。以下，在现有技术的说明中，n沟道晶体管NT203被称为晶体管NT203。晶体管NT203的源极连接于负侧电位VSS，且漏极连接于节点ND203。此外，电阻R202的一方端子连接于正侧电位VDD，且另一方端子连接于节点ND203。此外，通过晶体管NT203及电阻R202来构成反相器电路。

此外，第2段以后的移位缓存器电路，也具备与上述第1段的移位缓存器电路1000a相同的电路构成。后段的移位缓存器电路的第1电路部，被构成为连接于前段的移位缓存器电路的输出节点。此外，对于配置在奇数段的第1电路部的晶体管NT201的栅极，供应有上述的时钟信号CLK1，并且，对于配置在偶数段的第1电路部的晶体管NT201的栅极，供应有时钟信号CLK2。

图19是用来说明图18所示的传统移位缓存器电路的动作的波形图。接下来参照图18及图19，来说明传统的移位缓存器电路的动作。

首先，开始信号ST成为H电位。之后，时钟信号CLK1成为H电位。此时，在第1段的移位缓存器电路1000a中，晶体管NT201成为导通状态，且节点ND201的电位上升至H电位，因此晶体管NT202成为导通状态。借此，由于节点ND202的电位下降至L电位而使晶体管NT203成为关断状态，因此，节点ND203的电位上升至H电位，H电位的输出信号SR1从第1段的移位缓存器电路1000a输出。在时钟信号CLK1成为H电位的期间，H电位的电位被蓄积在电容C201。

接着，时钟信号CLK1成为L电位。此时，第1段的移位缓存器电路1000a的晶体管NT201成为关断状态。之后，开始信号ST成为L电位。在此，在第1段的移位缓存器电路1000a中，即使晶体管NT201成为关断状态，也由于节点ND201的电位储存在电容C201的H电位的电位而保持在H电位，因此晶体管NT202保持在导通状态。因此，由于节点ND202的电位不会上升至H电位，因此晶体管NT203保持在关断状态。借此，H电位的输出信号SR1从第1段的移位缓存器电路1000a被持续输出。

接着，时钟信号CLK2成为H电位。借此，第1段的移位缓存器电路1000a的H电位的输出信号SR1被输入至第2段的移位缓存器电路1000b，因此进行与上述第1段的移位缓存器电路1000a相同的动作。借此，H电位的输出信号SR2从第2段的移位缓存器电路1000b被输出。