[发明专利]用于最小化波长选择滤波器的传播损耗的方法和装置

权利要求书

1.一种从入射光过滤出具有选择的波长的光的装置，包括：

波导总线，被限定在所述装置的第一晶体层中，用于接收入射光；

谐振器，被限定在所述第一晶体层中；以及

耦合结构，被限定在所述装置的第二层中，用于将来自所述波导总线的具有选择的波长的所述入射光耦合到所述谐振器，其中所述耦合结构包括：

波导，具有至少一个横向绝热锥，所述锥用于耦合在所述耦合结构与所述波导总线或所述谐振器之间的所述入射光。

2.根据权利要求1的装置，其中所述第二层位于所述第一晶体层之上。

3.根据权利要求1的装置，其中所述第二层包括多晶硅或非晶硅。

4.根据权利要求1的装置，其中在所述第一晶体层与所述第二层之间形成耦合间隙。

5.根据权利要求4的装置，其中通过氧化物生长控制所述耦合间隙。

6.根据权利要求1的装置，其中所述谐振器是被调谐至所述选择的波长的环形谐振器。

7.根据权利要求1的装置，其中所述装置是波长选择滤波器。

8.一种用于从入射光过滤出具有选择的波长的光的方法，包括以下步骤：

通过位于波长选择滤波器的第一晶体层中的波导总线接收所述入射光；

将来自所述波导总线的所述光耦合到位于所述波长选择滤波器的第二层中的耦合结构；以及

将来自所述耦合结构的所述选择的波长的光耦合到位于所述第一晶体层中的谐振器，其中所述耦合结构包括：

至少一个横向绝热锥，用于耦合在所述耦合结构与所述波导总线或所述谐振器之间的所述入射光。

9.根据权利要求8的方法，其中所述第二层位于所述第一晶体层之上。

10.根据权利要求8的方法，其中所述第二层包括多晶硅或非晶硅。

11.根据权利要求8的方法，其中在所述第一晶体层与所述第二层之间形成耦合间隙。

12.根据权利要求11的方法，还包括：

通过氧化物生长控制所述耦合间隙。

13.根据权利要求8的方法，其中所述谐振器是被调谐至所述选择的波长的环形谐振器。