[发明专利]一种钛酸钡基磁性薄膜材料及其制备方法无效
| 申请号： | 200810113786.2 | 申请日： | 2008-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN101345118A | 公开（公告）日： | 2009-01-14 |
| 发明（设计）人： | 林元华;南策文;张嵩印 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01F10/28 | 分类号： | H01F10/28;H01F41/14;C23C14/28 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084北京市100*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 钛酸钡 磁性 薄膜 材料 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1、一种钛酸钡基磁性薄膜材料，其特征在于：所述薄膜材料以BaTiO3薄膜为基体，在其中掺入过渡族金属元素离子，所述薄膜材料的原子摩尔比为Ti 95-99.5％，过渡族金属原子0.5-5％。
2、按照权利要求1所述的薄膜材料，其特征在于：所述过渡族金属原子为Mn和Co。
3、一种制备如权利要求1所述的钛酸钡基磁性薄膜材料的方法，其特征在于：所述制备方法为：
(1)烧制靶材：将碳酸钡、二氧化钛、过渡族金属元素的氧化物按比例进行固相法预烧成相，压片后高温烧结得到PLD所需靶材；
(2)制膜：利用上述靶材，采用脉冲激光沉积PLD方法在单晶SrTiO3基底上沉积薄膜，激光能量密度保持在1.5J/cm2，动态氧分压保持在100mTorr，沉积温度为800℃，沉积结束后，动态氧分压保持在1000Pa，以5℃/min的速度冷却。
4、按照权利要求3所述的制备方法，其特征在于：所述碳酸钡、二氧化钛、过渡族金属元素的氧化物的摩尔比例为(1-x)∶1∶x，x取值范围为0.5％～5％。
5、按照权利要求3所述的制备方法，其特征在于：所述靶材预烧温度为1000℃，高温烧结温度为1300℃。
6、按照权利要求3所述的制备方法，其特征在于：所述沉积时间0.3～16min。
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