[发明专利]制造低氧化铌的方法

权利要求书

1.分子式为NbO_x的低氧化铌，其中0.7＜x＜1.3，优选0.9＜x＜1.15，特别优选1＜x＜1.05，该低氧化物具有依照ASTM B213最大为60s/25g的流动特性。

2.生产权利要求1的分子式为NbO_x的低氧化铌的方法，其中0.7＜x＜1.3，优选0.9＜x＜1.15，特别优选1＜x＜1.05，该方法通过将NbO_y与化学计量数的金属铌在氢的存在下进行反应，其中1.8＜y＜2.1，优选1.9＜y＜2，来生产所述的NbO_x。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，反应的温度和时间按照使反应基本完全发生的方式来选择。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，反应的温度是900℃-1600℃，以及反应的时间是0.5-4小时。

5.根据权利要求2-4之一所述的方法，其特征在于，起始物质铌的二氧化物NbO_y是通过通入氢还原五氧化二铌而产生的。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述还原是在1000℃-1600℃的温度下进行的。

7.根据权利要求5或6所述的方法，其特征在于，反应结束后，反应产物仍在900℃-1600℃的温度下保持一段时间以稳固和压实NbO_y晶格。

8.根据权利要求5-7之一所述的方法，其特征在于，使用由最小平均粒度为0.4-2μm的初始微粒的团聚物形成的粉末状五氧化二铌。

9.根据权利要求2-4之一所述的方法，其特征在于，使用按照权利要求5-7之一所述的方法用镁蒸汽还原NbO_y所获得的金属铌粉末。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，在750℃-1150℃的温度下还原NbO_y以形成所述金属。

11.电容器，其包含根据权利要求1所述的烧结的粉末状阳极。

12.生产根据权利要求11所述的电容器的吩咐，其中烧结根据权利要求1所述的低氧化铌。