[发明专利]图像显示装置无效

专利信息
申请号: 200810109187.3 申请日: 2008-05-23
公开(公告)号: CN101312108A 公开(公告)日: 2008-11-26
发明(设计)人: 黑田和生;伊藤靖浩 申请(专利权)人: 佳能株式会社
主分类号: H01J29/87 分类号: H01J29/87;H01J31/12
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 杨国权
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 图像 显示装置
【说明书】:

技术领域

本发明涉及一种包括电子发射器件和发光构件的平板图像显示装置。更具体地讲,本发明涉及一种用于保持其上形成有电子发射器件的电子源基底和其上形成有发光构件的基底之间的距离的耐气压支撑结构(比如,间隔件)。

背景技术

迄今为止,对于诸如阴极射线管(CRT)的图像显示装置,存在对更大屏幕的需求,但是比以前提供的屏幕,厚度更薄,重量更轻。作为具有减小的厚度和重量的图像显示装置,本发明人以前提出过一种使用表面传导电子发射器件的平板图像显示装置。在使用这样的电子发射器件的图像显示装置中,将包括电子发射器件的后板(基底)和包括发光构件的面板(基底)布置为彼此面对,发光构件响应于被电子照射而发光。通过将框架构件与外缘接合来使板之间的空间在它们的外缘密封,从而形成真空容器。这种类型的图像显示装置包括耐气压支撑结构,称为间隔件,其置于基底之间以防止由真空容器的内部和外部之间的大气压差所引起的基底的变形和断裂。间隔件典型地为矩形薄板的形式,并被布置成其相对端接触两个基底,以使间隔件表面与和每个基底的表面正交的方向平行地延伸。

与后板和面板类似,间隔件由绝缘体(比如,玻璃材料)制成。然而,如果由绝缘体制成的间隔件的表面被充电,则在一些情况下从电子发射器件发射的电子束的轨迹受到影响。一种处理这样的问题的解决方案是在间隔件表面上形成具有小的二次电子发射系数的导电涂层。公开号为2000-90859的日本专利(第6,265,822号美国专利)提出了具有氮化碳涂层的间隔件。

然而,本发明人认识到相关领域的以下问题。当连续操作提供有已知的具有氮化碳涂层的间隔件的图像显示装置时,电子束的轨迹从初始状态改变,从而导致发光点的位置的变化。

发明内容

本发明提供一种采用新颖的间隔件的图像显示装置,其可克服上述问题。

根据本发明,图像显示装置包括:后板,其上具有电子发射器件;面板,其具有相关联的图像形成构件,所述图像形成构件被配置成当用从电子发射器件发射的电子照射时发射光;和至少一个间隔件,其位于后板和面板之间。间隔件在其表面上具有碳膜,该碳膜具有这样的特性,从而在通过X射线光电子光谱法获得的光谱中,等于或小于284.5eV的区域的积分面积为归因于碳的积分面积的27%或更少,286.0eV-287.0eV的区域的积分面积为归因于碳的积分面积的18%或更少,等于或大于287.0eV的区域的积分面积为归因于碳的积分面积的9%或更多。

在采用根据本发明的新颖的间隔件的图像显示装置中,即使在长时间操作图像显示装置之后,从电子发射器件发射的电子束的轨迹也基本上不改变,并可保持良好的显示性能。更具体地讲,通过限制作为涂覆在间隔件表面上的碳膜中的化合物成分的sp2比率来确保涂覆的碳的绝缘。此外,通过指定具有氧碳键C-O和C=O的结构的含量比率的下限,即使当在长时间驱动期间间隔件暴露在电子束的照射下时,也抑制石墨化。结果,即使在长时间驱动之后,间隔件的电阻也基本上没有变化,并可抑制对电子束的轨迹的影响。此外,通过另外指定sp3成分的上限,即使当在长时间驱动期间间隔件暴露在电子束的照射下时,也类似地抑制石墨化。结果,即使在长时间驱动之后,间隔件的电阻也基本上没有变化,并可抑制对电子束的轨迹的影响。当在碳的终端附近存在诸如F、I、Cl和Br的卤族元素时,这些卤族元素可分离和侵蚀其它构件,从而在一些情况下引起不利的影响。为了避免不利影响,相对于间隔件表面上存在的碳的量,优选地将卤族元素的量设置为5%或更少。

从参考附图对示例性实施例的以下描述,本发明的进一步特征将变得清楚。

附图说明

图1是代表根据本发明的图像显示装置的一个示例的显示面板的示意性透视图。

图2A-2E示出制作在根据本发明的图像显示装置中使用的后板的连续步骤。

图3A和图3B示出在根据本发明的图像显示装置中使用的面板的结构。

图4A和图4B示出在本发明的示例中使用的间隔件的形状。

图5示出在本发明的示例1中使用的电子束照射装置。

图6是示出在本发明的示例1中使用的、增加当在图像显示装置中照射电子束时施加的加速电压Va的方式的曲线图。

图7是示出感官测试的结果的曲线图,它表示间隔件附近的束偏移和图像的不规则性之间的关系。

图8A和图8B是各自绘制对本发明中使用的间隔件的XPS组成分析的结果的曲线图。

具体实施方式

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