[发明专利]冷阴极放电灯无效
| 申请号: | 200810099630.3 | 申请日: | 2008-06-13 |
| 公开(公告)号: | CN101325142A | 公开(公告)日: | 2008-12-17 |
| 发明(设计)人: | 武田雄士;筒井直树 | 申请(专利权)人: | 哈利盛东芝照明株式会社 |
| 主分类号: | H01J61/067 | 分类号: | H01J61/067 |
| 代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 冯雅 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 阴极 电灯 | ||
技术领域
本发明涉及液晶电视或笔记本电脑的液晶显示器等的背光源所采用的冷阴极放电灯。
背景技术
目前,作为液晶显示器等的背光源所采用的光源,由于成本低的优点,主要是冷阴极放电灯。冷阴极放电灯中,通常采用如日本专利特开2005-26139号公报(专利文献1)中所记载的有底筒状的所谓杯状的电极。该电极可以将杯状的电极的内表面和外表面用作电极的表面,因此即使电极尺寸小,也可以确保电极表面积大。因此,可以降低阴极电压降,能够控制耗电量。
如上所述,冷阴极荧光灯特别要求低耗电量化。因此,日本专利特开平11-273617号公报(专利文献2)、日本专利特开2000-133200号公报(专利文献3)等中,为了控制耗电量,提出了在电极形成有电子发射材料、即发射极的冷阴极荧光灯。
专利文献1:日本专利特开2005-26139号公报
专利文献2:日本专利特开平11-273617号公报
专利文献3:日本专利特开2000-133200号公报
发明内容
如果在电极形成发射极,则阴极电压降降低,可以控制耗电量,但无法避免制造工序的增加和成本上升。
因此,本发明的目的在于提供低耗电且低成本的冷阴极放电灯。
为了实现上述目的,发明人作了各种研究后发现通过主动地使电极表面氧化,阴极电压降下降的事实,因而提出了本发明。
即,本发明的冷阴极放电灯具备在内部具有放电空间的放电容器、被封入所述放电空间的放电介质以及在所述放电空间中对向配置的一对电极,其特征在于,在所述电极的表面形成有所述电极材料的氧化层。
此外,本发明的冷阴极放电灯的特征在于,所述电极的表面的氧化率在40%以上,较好是在75%以上。
另外,本发明的冷阴极放电灯的特征在于,所述电极由选自铁Fe、镍Ni、钼Mo、铌Nb、钨W、钽Ta、铝Al的金属或它们的合金形成。
如果采用本发明,通过主动地使电极表面氧化,可以降低阴极电压降,因此能够提供低耗电量且低成本的冷阴极放电灯。
附图说明
图1是用于说明本发明的第1种实施方式的冷阴极放电灯的整体图。
图2是用于说明电极机构的图。
图3是用于说明对于具备镍Ni电极和形成有氧化层的镍Ni电极的灯改变灯电流时的阴极电压降的变化的图。
图4是用于说明对于具备钼Mo电极和形成有氧化层的钼Mo电极的灯改变灯电流时的阴极电压降的变化的图。
图5是用于说明对于具备钨W电极和形成有氧化层的钨W电极的灯改变灯电流时的阴极电压降的变化的图。
图6是电极的变形例1。
图7是电极的变形例2。
图8是电极的变形例3。
符号的说明
1:放电容器,2:荧光体层,3a、3b:电极机构,3a1、3b1:电极,3a2、3b2:内部引线,3a3、3b3:外部引线,4:氧化层。
具体实施方式
(第1种实施方式)
以下,对于本发明的实施方式的冷阴极放电灯参照附图进行说明。图1是用于说明本发明的第1种实施方式的冷阴极放电灯的整体图。
冷阴极放电灯的容器由例如硬质玻璃制的放电容器1构成。放电容器1为细长筒形形状,其内部形成有放电空间11。放电空间11中封入有汞和作为稀有气体的氖。在这里,也可以为了提高灯的起动性而也封入氩,形成混合气体。此外,放电容器1的内表面形成有荧光体层2。作为荧光体层2,除了以R(红)、G(绿)、B(蓝)发光的短波长荧光体,还可以根据目标用途使用混合了RGB的三波长荧光体等。另外,荧光体层2可以形成至放电容器1的两端部附近。
放电容器1的两端密封有电极机构3a、3b。如图2所示,电极机构3a、3b由电极3a1、3b1,内部引线3a2、3b2以及外部引线3a3、3b3构成,通过电阻焊接或激光焊接等一体地接合。
电极3a1、3b1为板状,由选自铁Fe、镍Ni、钼Mo、铌Nb、钨W、钽Ta、铝Al的金属或它们的合金形成。其中,考虑到后述的氧化层4的形成的难易度和效果,优选镍Ni。
内部引线3a2、3b2为棒状,放电空间11侧的前端部形成有用于与电极3a1、3b1的板状面面接合的平坦面。作为内部引线3a2、3b2的材料,可以使用熔点低于电极材料的金属,例如钴Co、铜Cu线、镍Ni等。另外,像本实施方式这样内部引线3a2、3b2对于放电容器1的两端部的玻璃封接的情况下,特别优选接近玻璃的热膨胀率的钴Co。
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