[发明专利]存储装置

说明书

技术领域

本发明涉及存储在计算机或各种电子设备中使用的数据的存储装置。

背景技术

近年来，作为计算机的外部存储装置，以紧凑型闪存(compactflash)(注册商标，以下相同)为代表的存储卡、USB闪存驱动器(USBflash drive)正在普及。在这些外部存储装置中内置有闪存，该闪存是可重写的非易失性ROM。有被称为SLC(Single Level Cell，单级单元)型和MLC(Multi Level Cell，多级单元)型的闪存(例如，参照以下的专利文献1)。

专利文献1：日本专利文献特开2002-8380号公报。

SLC型闪存是一直以来被广泛使用的存储器，是每单个单元可以存储1位的信息的存储器(以下也称为“二值存储器”)。与此相对，MLC型存储器单元是每单个单元可以存储2位以上的信息的存储器(以下也称为“多值存储器”)。MLC型闪存可以通过各单元取完全充电的状态、电量剩余有三分之二的状态、电量剩余有三分之一的状态、被完全放电的状态这四种状态而以每单个单元存储2位的信息。

通常，MLC型闪存具有低速动作、可重写次数少、但存储容量比SLC型大的特点。另一方面，SLC型闪存具有高速动作、可重写次数多、但存储容量比MLC型小的特点。

发明内容

发明所要解决的问题

鉴于上述问题，本发明所要解决的课题是提供一种发挥了SLC型闪存和MLC型闪存这两者的特点的优点的存储装置。

用于解决问题的手段

鉴于上述课题，本发明的一个实施方式的存储装置如下构成。

即，本发明提供一种存储装置，该存储装置在存储区域的开头记录数据的管理信息，并且可以根据预定的文件系统来存储数据，所述存储装置的特征在于，包括：二值闪存，具有第一存储区域，每单个单元可以存储2种值；多值闪存，具有第二存储区域，每单个单元可以存储3种以上的值；以及控制部，在将所述第一存储区域配置于开头的区域的同时逻辑结合所述第一存储区域和所述第二存储区域，并作为为单一的存储区域的结合区域而进行数据的读写。

根据上述方式的存储装置，将二值闪存所具有的第一存储区域配置于结合区域的开头。因此，文件分配表等数据的管理信息被写入到二值闪存内。由于文件分配表是一旦进行数据的写入或擦除就会被频繁地进行重写的管理信息，因此通过将动作速度高于多值闪存的二值闪存配置于结合区域的开头，与全部区域由多值闪存构成的存储装置相比，可以高速地存储数据。另外，由于二值闪存具有与多值闪存相比可重写次数多的特点，因此通过将会被频繁地进行重写的文件分配表写入二值闪存，可以提高数据存储的可靠性。这样，根据上述方式的存储装置，通过使用多值闪存而实现了大容量化，同时通过也使用二值闪存而可以提供在动作的高速性和可靠性方面优良的存储装置。

上述方式的存储装置也可以采用以下构成方式，即，所述控制部包括：地址转换部，进行所述结合区域与所述第一存储区域和所述第二存储区域之间的地址转换；以及选择部，根据所述地址转换的结果，从所述二值闪存和所述多值闪存中选择所述数据的读写目的地。根据该方式，可以根据地址转换的结果而容易地判断出数据的读写目的地。

上述方式的存储装置也可以采用以下构成方式，即，所述控制部在将通过所述地址转换部进行了转换后的地址发送给所述二值闪存和所述多值闪存之后，将用于进行所述数据的读写的指令发送给所述被选择的闪存。

根据该方式，向所有闪存发送转换后的地址，然后仅向被选择的闪存发送指令。根据该方式，由于不需要从二值闪存和多值闪存中选择转换后的地址的发送目的地，因此可以提高处理速度。

上述方式的存储装置也可以采用以下构成方式，即，所述第一存储区域是占所述结合区域的0.5％以上且不足100％的任一比例的区域。通过将第一存储区域设定为这样的区域，能够可靠地将文件分配表等管理信息存储在二值闪存内。

上述方式的存储装置也可以采用以下构成方式，即，该存储装置经由预定的接口与主机装置连接，所述控制部根据来自所述主机装置的指示而进行所述数据的读写。根据该方式，可以将该存储装置用作主机装置的外部存储装置或内部存储装置。作为预定的接口，例如可以使用USB、IEEE1394、串行ATA、并行ATA等接口。

上述方式的存储装置也可以采用以下构成方式，即，所述控制部在从所述主机装置接收到该存储装置的存储容量的询问时返回所述结合区域的存储容量。根据该方式，可以将结合区域整体的容量而不是各闪存所个别具有的存储容量通知给主机装置。