[发明专利]一种混合型变流装置

权利要求书

1.一种混合型变流装置，其特征在于：其包括：

一个三相输入变压器，其原边绕组与电网输入联接，其副边绕组包含多路三相绕组，各路 副边绕组相互间电气隔离；

一组或多组可控硅功率变换单元，所述每组可控硅功率变换单元包含有2个可控硅桥式整 流电路序列，所述可控硅桥式整流电路序列是由一个可控硅桥式整流电路、或多个输 出端首尾串联连接的可控硅桥式整流电路组成；所述可控硅桥式整流电路序列的输入 端分别连接在所述变压器副边的不同三相绕组上；所述2个可控硅桥式整流电路序列 中，其中一个输出正向电流，另一个输出反向电流，2个可控硅桥式整流电路序列反 向并联连接，或者串联保护电感后反向并联连接，从而输出双向电流；

一组或多组用于补偿网侧功率因数、谐波的网侧PWM功率变换单元，所述网侧PWM功率变 换单元是由滤波电容器以及、由可关断半导体器件连接而成的PWM三相逆变桥构成；

所述三相逆变桥的输入端联接电感后，与所述隔离变压器副边的三相绕组联接。

2.根据权利要求1所述的一种混合型变流装置，其特征在于：其进一步包括一组或多组输出 侧PWM功率变换单元，所述输出侧PWM功率变换单元是由可关断半导体器件连接而成的 PWM三相逆变桥，其两个输入端与所述网侧PWM功率变换单元中的滤波电容器并联联接， 其三个输出端与所述可控硅桥式整流电路序列的输出端联接。

3.根据权利要求1所述的一种混合型变流装置，其特征在于：所述的可关断半导体器件是 IGBT或IGCT。

4.根据权利要求2所述的一种混合型变流装置，其特征在于：所述的可关断半导体器件是 IGBT或IGCT。

5.根据权利要求1至4中任何一个所述的一种混合型变流装置，其特征在于：所述的三相输 入变压器是原边绕组为多个三相绕组并联连接的分裂式变压器。

6.根据权利要求1至4中任何一个所述的一种混合型变流装置，其特征在于：所述的三相输 入变压器是副边绕组采用移相绕法的移相变压器。