[发明专利]光刻装置和器件制造方法

说明书

本申请为2006年4月4日递交的申请号为200610074086.8的专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及一种光刻装置和制造器件的方法。

背景技术

光刻装置是将期望的图案施加到基底上通常是基底靶部上的一种装置。光刻装置可以用于例如集成电路(IC)的制造。在这种情况下，构图装置或者可称为掩模或中间掩模版，它可用于产生形成在IC的一个单独层上的电路图案。该图案可以被传送到基底(例如硅晶片)的靶部上(例如包括部分，一个或者多个管芯)。通常这种图案的传送是通过成像在涂敷于基底的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。一般地，单一的基底将包含被相继构图的相邻靶部的网络。已知的光刻装置包括所谓的步进器，它通过将整个图案一次曝光到靶部上而辐射每一靶部，已知的光刻装置还包括所谓的扫描器，它通过在辐射光束下沿给定的方向(“扫描”方向)扫描所述图案，并同时沿与该方向平行或者反平行的方向同步扫描基底来辐射每一靶部。还可以通过将图案压印到基底上把图案从构图装置传送到基底上。

已经有人提议将光刻投影装置中的基底浸入具有相对较高折射率的液体中，如水，从而填充投影系统的最后一个元件与基底之间的空间。由于曝光辐射在该液体中具有更短的波长，从而能够对更小的特征进行成像。(液体的作用也可以认为是增加了系统的有效NA和增加了焦深。)也有人提议其它浸液，包括其中悬浮有固体微粒(如石英)的水。

但是，将基底或基底和基底台浸在液体浴槽(例如参见U.S.专利No.4,509,852，在此将该文献全文引入作为参考)中意味着在扫描曝光过程中必须将大量的液体加速。这需要附加的或功率更大的电机，并且液体中的紊流可能导致不期望和不可预料的结果。

提出的一种用于液体供给系统的技术方案是使用液体限制系统仅在基底的局部区域上以及投影系统的最后一个元件和基底(通常该基底具有比投影系统的最后一个元件更大的表面区域)之间提供液体。在WO99/49504中公开了一种已经提出的为该方案而布置的方式，在此将该文献全文引入作为参考。如图2和3所示，通过至少一个入口IN将液体提供到基底上，期望的是沿基底相对于最后一个元件的移动方向提供液体，并且在流过投影系统下方之后通过至少一个出口OUT去除液体。也就是说，当沿-X方向在该元件下方扫描基底时，并在元件的+X方向提供液体，在-X方向接收液体。图2示意性地示出了该布置，其中通过入口IN提供液体，和通过与低压源相连接的出口OUT在元件的另一侧接收液体。在图2的说明中，沿基底相对于最后一个元件的移动方向提供液体，但是也可以不必这样。围绕最后一个元件定位的入口和出口的各种定向和数量都是可能的，图3示出了一个实例，其中围绕最后一个元件以规则图案中提供了四组入口以及在另一侧的出口。

已经提出的另一种技术方案是提供具有密封元件的液体供给系统，该密封元件沿投影系统的最后一个元件和基底台之间的空间的边界的至少一部分延伸。图4示出了这种技术方案。该密封元件在XY平面中基本上相对于投影系统静止，但是在Z方向(光轴方向)可以有一些相对移动。在密封元件和基底表面之间形成密封。期望的是，该密封是非接触密封，如气密封。图5示出了这样一种具有气密封的系统，其公开于EP-A-1420298中，在此将该文献全文引入作为参考。

在EP-A-1420300中，公开了一种双或两台式湿浸式光刻装置的思想。这种装置具有两个支撑基底的台。可以不使用浸液在第一位置用一个台进行水准测量，而在其中提供了浸液的第二位置使用一个台进行曝光。可替换地，该装置仅有一个台。

EP-A-1420298中公开的密封元件存在几个问题。尽管该系统可以在投影系统的最后一个元件和基底之间提供浸液，但是浸液有时会溢出，有时会产生投影系统的最后一个元件和基底之间的空间中的浸液的再循环，当辐射光束穿过再循环区域进行投影时就会导致象差，由此加热浸液并改变其折射率。此外，在某些情况下也难以避免密封元件的溢出。

发明内容

期望的是提供一种密封元件或阻挡元件，其可以克服一部分上述问题。本发明的一个方面是提供一种密封元件或阻挡元件，其中减小了湍流和减小了浸液的溢出。