[发明专利]等离子体显示器无效

专利信息
申请号: 200810083024.2 申请日: 2008-03-18
公开(公告)号: CN101271654A 公开(公告)日: 2008-09-24
发明(设计)人: 金基东 申请(专利权)人: 三星SDI株式会社
主分类号: G09F9/313 分类号: G09F9/313;H01J17/49;G09G3/28
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 宋莉
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 等离子体 显示器
【说明书】:

技术领域

发明的各方面涉及一种等离子体显示器。更具体而言,本发明的各方面涉及一种由于减少的统计延迟时间而具有改善的放电稳定性和放电质量的等离子体显示面板。

背景技术

等离子体显示面板是通过用在放电单元中由气体放电产生的真空紫外(VUV)线激发荧光粉层形成图像的显示器。

等离子体显示面板通过使用从通过气体放电产生的等离子体发出的光显示文本和/或图形。通过施加预定水平的电压到处于等离子体显示面板的放电空间中的两个电极上以诱发在所述两个电极之间的等离子体放电,并且通过由等离子体放电产生的紫外线激发以预定图案形成的荧光粉层,从而形成图像。(所述处于等离子体显示面板的放电空间中的两个电极在下文中称为“显示电极”。)

通常,等离子体显示面板包括覆盖两个显示电极的介电层和在介电层上以保护介电层的保护层。保护层主要由MgO构成,其是透明的以容许可见光透过,并且其显示出对介电层的优异的保护性能且还产生二次电子发射。然而,近来已经研究了MgO保护层的替换物和变体。

MgO保护层具有耐溅射特性,其减少在驱动等离子体显示器的同时放电时放电气体的离子冲击,并保护介电层。此外,透明保护薄膜形式的MgO保护层通过发射二次电子降低放电电压。通常,MgO保护层以5000-9000的厚度覆盖在介电层上。

因此,MgO保护层的成分和膜特性对放电特性有重大影响。MgO保护层的膜特性相当大地取决于成分和沉积的涂覆条件。期望开发用于改善膜特性的最佳成分。

期望通过改善响应速度来改善高清晰度等离子体显示面板(PDP)的放电稳定性。高清晰度等离子面板应当响应快速的扫描速度,使得建立其中进行所有寻址的稳定的放电。对快速扫描的响应速度由形成延迟时间(Tf)和统计延迟时间(Ts)决定。

公开于该背景部分的上述信息仅为了增强对本发明的背景的理解,因而它可包含不形成在本国已为本领域普通技术人员所熟知的现有技术的信息。

发明内容

根据本发明的实施方式,提供一种由于减少的统计延迟时间而具有改善的放电稳定性和放电质量的等离子体显示面板。

根据本发明的实施方式,提供一种等离子体显示器,其包括等离子体显示面板,该等离子体显示面板包括布置在第一基板上的寻址电极、布置在第二基板上并与所述寻址电极交叉的一对第一和第二显示电极、覆盖所述在第二基板上的第一和第二显示电极的介电层、覆盖所述在第二基板上的介电层的MgO保护层、填充在所述第一和第二基板之间的放电气体、驱动等离子体显示面板的驱动器、以及控制器,该控制器控制驱动器,使得维持周期的维持脉冲宽度可为1-3.5μs,并且其中MgO保护层中O与Mg的原子比的范围为1.0-0.98。

根据本发明的方面,所述维持脉冲宽度可为1-3.5μs。根据非限制性实例,所述维持脉冲宽度的范围为1-3.0μs。

根据本发明的方面,所述维持周期为9-25μs。根据非限制性实例,所述维持周期可为10-25μs。

根据本发明的方面,所述维持周期的第一维持脉冲宽度为2-7.5μs。根据非限制性实例,所述维持周期的第一维持脉冲宽度的范围为2-7μs。

根据本发明的方面,所述放电气体包括5-30体积份的Xe,基于100体积份的Ne。根据非限制性实例,所述放电气体还包括大于0且小于或等于70体积份的选自He、Ar、Kr、O2、N2及其组合的至少一种气体,基于100体积份的Ne。

根据本发明的另一实施方式,提供一种等离子体显示面板,其包括布置在基板上的至少一对第一和第二显示电极;覆盖所述至少一对第一和第二显示电极的介电层;以及覆盖所述介电层的MgO保护层,其中所述MgO保护层中O与Mg的原子比的范围为1.0-0.98。

本发明的其它方面和/或优点将在以下描述中部分地阐述,并且从该描述中部分地显现,或者可通过本发明的实践认识到。

附图说明

从结合附图对实施方式的以下描述,本发明的这些和/或其它方面和优点将变得明晰并且更易理解,在附图中:

图1是显示根据本发明实施方式的等离子体显示面板的结构的部分分解透视图;

图2是显示包括图1的等离子体显示面板的等离子体显示器的示意图;

图3是图2的等离子体显示器的驱动波形;

图4是显示当包含的O原子多于Mg原子时的MgO保护层的原子结构的示意图;

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星SDI株式会社,未经三星SDI株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810083024.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top