[发明专利]有机电致发光器件和显示装置有效

专利信息
申请号: 200810082921.1 申请日: 2008-03-07
公开(公告)号: CN101282604A 公开(公告)日: 2008-10-08
发明(设计)人: 石井徹;佐藤克洋;西野洋平;堀场幸治;真下清和;阿形岳;今井彰;尾崎忠义;广瀬英一;奥田大辅;米山博人;关三枝子 申请(专利权)人: 富士施乐株式会社
主分类号: H05B33/22 分类号: H05B33/22;H05B33/14;H05B33/28
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 代理人: 丁香兰;谢栒
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 有机 电致发光 器件 显示装置
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种有机电致发光器件和显示装置。

背景技术

电致发光器件作为可视性更高且更耐冲击的自发光性全固态器件,可望得到更广泛的应用。电致发光器件的主流是使用无机荧光化合物的电致发光器件。

有关使用有机化合物的电致发光器件的研究始于单晶,例如蒽的单晶。另外,有关具有通过真空沉积法形成的更薄的膜的电致发光器件的研究也已开始(Thin Solid Films,94(1982)pp.171-183)。

近年来,已经报道了一种功能分离型层积膜有机电致发光器件(Appl.Phys.Lett.Vol.51(1987)pp.913-915),此器件依次层积有芳香族二胺层和Alq3层,并且在约10V的低电压下给出了1,000cd/m2以上的高亮度,从那以来,有关此类层积型电致发光器件的研究与开发一直在深入地进行。

空穴和电子从电极经电荷输送性有机化合物的电荷输送层注入荧光有机化合物的发光层,并在空穴与电子之间的载流子平衡得以保持的情况下,注入并截留在发光层中的空穴和电子相互复合,同时,此层积膜器件产生了高亮度发光。

使用星状胺(其形成稳定的无定形玻璃态作为空穴输送材料以抑制驱动器件时焦耳热的产生)形成的有机电致发光器件(Proceedings of the40th Applied Physics Related Associated Seminar,30a-SZK-14(1993))、使用侧链中具有三苯胺的高分子聚磷腈形成的有机电致发光器件(PolymerPreprints,Japan,Vol.42,No.7,20J-21(1993))也已被报道。

考虑到缩短加工时间长度,有关单层电致发光器件的研究与开发也一直在进行,并且使用导电性聚合物例如聚(对苯撑亚乙烯基)等形成的器件(Nature,Vol.357(1992)pp.477-479)和具有使用含有空穴输送性聚乙烯基咔唑并混入电子输送性材料和荧光染料的溶液而形成的发光层的有机电致发光器件(Proceedings of the 38th Applied Physics Related AssociatedSeminar,31p-G-12(1991))等也已被报道。

另外,基于制造电致发光器件的方法的观点,考虑到制造过程的简化、加工性、大面积化和成本,湿式涂布方法的研究也在进行。已经报道有通过流延法形成的有机电致发光器件(Proceedings of the 50th AppliedPhysics Society Seminar,29p-ZP-5(1989)和Proceedings of the 51th AppliedPhysics Society Seminar,28a-PB-7(1990))。

发明内容

根据本发明的第一方面的第一实施方式,提供了一种有机电致发光器件,所述有机电致发光器件包含:形成电极对的阳极和阴极,所述电极中的至少一个电极为透明或半透明的;以及设置在所述阳极和阴极之间的缓冲层和有机化合物层,

所述有机化合物层包含至少含有发光层的一层或一层以上的层,

所述有机化合物层中的至少一层包含至少一种由式(I)所示的电荷输送性聚醚;

包含所述电荷输送性聚醚的层中的至少一层设置为与所述缓冲层相接触;且

所述缓冲层设置为与所述阳极相接触,并且包含选自由无机氧化物、无机氮化物和无机氮氧化物所组成的组中的至少一种电荷注入材料。

在式(I)中,A表示式(II-1)或(II-2)所示结构中的至少一种结构;R表示氢原子、烷基、具有取代基或不具有取代基的芳基、具有取代基或不具有取代基的芳烷基、酰基或者由-CONH-R′(其中,R′表示氢原子、烷基、具有取代基或不具有取代基的芳基或者具有取代基或不具有取代基的芳烷基)所示的基团;p为5~5,000的整数。

在式(II-1)和(II-2)中,Ar表示具有取代基或不具有取代基的单价芳基;X表示具有取代基或不具有取代基的二价芳基;k和l各自为0或1;T表示具有1~6个碳原子的二价直链烃或者具有2~10个碳原子的支化烃。

在本发明的第一方面的第二实施方式中,所述缓冲层包含氧化钼和氧化钒中的至少一种物质。

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