[发明专利]电压倍增电路

说明书

技术领域

本发明有关于一种电压倍增电路，尤其有关于一种不需脉冲控制信号控制，而仅需一个开启关闭信号即可使电路在低电压操作时，正确且快速的读到导通存储器单元的电压倍增电路。

背景技术

存储器是现今许多电子产品所必须包含的基本电子元件之一，而当存储器单元被读取时，其运作方式为必须打开行位及字位，当要读取的存储器单元是低切入电压(threshold voltage)时，且如果在低操作电压时，因为行地址的电压不够高，这时行地址的电压将不足以去打开存储器单元或是有打开但打开所造成的电流不够大，这样情况下存储器单元的数据将无法正确被读取。而如果在低操作电压时，如果能将行地址的电压往上打到比操作电压还高的电压，那就可以正确读到在低切入电压(threshold voltage)的存储器单元的数据。而在高操作电压时，因为电压已经高到可以打开低切入电压(threshold voltage)的存储器单元，所以不需要将行地址的电压再往上打到比操作电压还高，因为在高操作电压时，若将行地址的电压再往上打到比操作电压还高，则有可能造成元件的损害。所以在低操作电压时，行地址的电压必须往上打到比操作电压还高以便可以确实读到低切入电压(thresholdvoltage)的存储器单元。而在高电压操作时，行地址的电压不须要往上打到比操作电压还高，即可确实读到低切入电压(threshold voltage)的存储器单元，也可避免元件的损害。但公知改善上述缺点的技术需要使用多个脉冲控制信号方能获致改善的效果，就硬件的体积来说，多个脉冲控制信号表示需要多个控制信号源，造成硬件体积的微形化而受到限制，而多个脉冲信号在为小体积中传输，亦可能互相干扰，造成电路的误动作。

因此，如何研发出一种电压倍增电路，其不需脉冲控制信号控制，而仅需一个开启关闭信号即可使电路在低电压操作时，正确且快速的读取导通存储器单元，将是本发明所要积极探讨之处。

发明内容

本发明提出一种电压倍增电路，其主要目的为解决公知电压倍增电路需要多个脉冲控制信号控制的问题。

本发明的一个方案为一种电压倍增电路，包括：电压检测单元；振荡单元，其与该电压检测单元相接；反向单元，其与该电压检测单元相接；第一开关元件，其与该反向单元相接；第二开关元件，其与该反向单元相接；第三开关元件，其与该第一开关元件及该二开关元件相接；第四开关元件，其与该振荡单元及该第三开关元件相接；以及第五开关元件，其与该第三开关元件及该四开关元件相接。

如上所述的电压倍增电路，其中，该电压检测单元在接收第一信号后产生第二信号。

如上所述的电压倍增电路，其中，该振荡单元在接收第二信号后产生第三信号。

如上所述的电压倍增电路，其中，该第一开关元件、该第四开关元件以及该第五开关元件为N型金属氧化半导体场效应开关元件。

如上所述的电压倍增电路，其中，该第二开关元件以及该第三开关元件为P型金属氧化半导体场效应开关元件。

如上所述的电压倍增电路，其中，该第一开关元件的发射极接地。

如上所述的电压倍增电路，其中，该第三开关元件的发射极接于一电压。

如上所述的电压倍增电路，还包含第六开关元件，其与该第五开关元件相接。

如上所述的电压倍增电路，其中，该第六开关元件的发射极与基极接于一电压。

如上所述的电压倍增电路，其中，该第六开关元件为N型金属氧化半导体场效应开关元件。

由此，仅需一个开启关闭信号即可使电路在低电压操作时，正确且快速的读取导通存储器单元，进而达到使硬件体积最小化，同时避免电路中信号互相干扰的目的。

附图说明

图1为本发明一种电压倍增电路的优选具体实施例的电路图。

图2为电路于低电压运作时的各点电压波形图。

图3为电路于高电压运作时的各点电压波形图。

其中，附图标记说明如下：

1电压倍增电路

2电压检测单元

3第一信号

4第二信号

5振荡单元

6第三信号

7反向单元

8第一开关元件

9第二开关元件

10第三开关元件

11第四开关元件

12第五开关元件

13发射极

14第六开关元件

15发射极

16基极

VDD参考电压

OUT输出点

具体实施方式