[发明专利]音频功率放大器中的前置电路

权利要求书

1.一种音频功率放大器中的前置电路，包含：

一反相器，用以接收一输入信号以输出一输出信号，该反相器包含：

一第一开关，由该输入信号控制，并具有一第一端点以及一第二端点，其中该第一端点耦接于一电源电压，该第二端点用以输出该输出信号；及

一第二开关，由该输入信号控制，并具有一第三端点以及一第四端点，其中该第三端点用以输出该输出信号，该第四端点耦接于一低参考电压；以及

一压降组件，耦接于该第一开关的该第一端点以及该电源电压之间，并用以降低该电源电压；

其中当该压降组件以及该第一开关因该电源电压的电平低于一第一临界电压而未驱动时，该输出信号维持在一低电平状态，

所述前置电路还包含：

一第三开关，由该电源电压控制，并具有一第五端点以及一第六端点，其中该第五端点由一电容耦接于该电源电压，该第六端点耦接于该低参考电压；以及

一第四开关，由该第三开关的该第五端点的电压所控制，并具有一第七端点以及一第八端点，其中该第七端点耦接于该第一开关的该第二端点以及该第二开关的该第三端点，该第八端点耦接于该低参考电压。

2.如权利要求1所述的前置电路，其中当该电源电压增加至一第二临界电压而驱动该第三开关时，该电容进行充电以驱动该第四开关，使得该输出信号维持在该低电平状态。

3.如权利要求1所述的前置电路，其中该第三开关为一N型金属氧化物半导体场效应晶体管，该晶体管的一栅极端由该电源电压所控制，该晶体管的一漏极端为该第五端点，该晶体管的一源极端为该第六端点。

4.如权利要求1所述的前置电路，其中该第四开关为一N型金属氧化物半导体场效应晶体管，该晶体管的一栅极端由该第三开关的该第五端点的电压所控制，该晶体管的一漏极端为该第七端点，该晶体管的一源极端为该第八端点。

5.如权利要求1所述的前置电路，其中当该电源电压增加至一第三临界电压而使得该压降组件以及该第一开关驱动时，该输入信号根据该反相器转换为该输出信号。

6.如权利要求1所述的前置电路，其中该压降组件为一二极管，该二极管具有一阳极端以及一阴极端，该阳极端耦接于该电源电压，该阴极端耦接于该第一开关的该第一端点。

7.如权利要求1所述的前置电路，其中该压降组件为一P型金属氧化物半导体场效应晶体管，该晶体管的一源极端耦接于该电源电压，该晶体管的一栅极端及一漏极端耦接于该第一开关的该第一端点。

8.如权利要求1所述的前置电路，其中该第一开关为一P型金属氧化物半导体场效应晶体管，该晶体管的一栅极端由该输入信号控制，该晶体管的一源极端为该第一端点，该晶体管的一漏极端为该第二端点。

9.如权利要求1所述的前置电路，其中该第二开关为一N型金属氧化物半导体场效应晶体管，该晶体管的一栅极端由该输入信号控制，该晶体管的一漏极端为该第三端点，该晶体管的一源极端为该第四端点。

10.一种音频功率放大器中的前置电路，包含：

一第一开关，由一输入信号控制，并具有一第一端点以及一第二端点，其中该第一端点耦接于一电源电压，该第二端点用以输出一输出信号；

一第二开关，由该输入信号控制，并具有一第三端点以及一第四端点，其中该第三端点用以输出该输出信号，该第四端点耦接于一低参考电压；以及

一二极管，其阴极端耦接于该第一开关的该第一端点，其阳极端耦接于该电源电压，

所述前置电路还包含：

一电容，该电容的一第一端点耦接于该电源电压；

一第三开关，由该电源电压控制，并具有一第五端点以及一第六端点，其中该第五端点耦接于该电容的一第二端点，该第六端点耦接于该低参考电压；以及

一第四开关，由该第三开关的该第五端点的电压所控制，并具有一第七端点以及一第八端点，其中该第七端点耦接于该第一开关的该第二端点以及该第二开关的该第三端点，该第八端点耦接于该低参考电压。

11.如权利要求10所述的前置电路，其中当该二极管以及该第一开关因该电源电压的电平低于一第一临界电压而未驱动时，该输出信号维持在一低电平状态。