[发明专利]发声装置

权利要求书

1.一种发声装置，其包括：

一信号输入装置；以及

一发声元件，该发声元件与所述信号输入装置的两端电连接；

其特征在于，所述发声元件至少部分设置在一支撑结构表面，该发声元件包 括至少一层碳纳米管薄膜，该碳纳米管薄膜包括多个相互平行的碳纳米管， 所述信号输入装置输入电信号给该发声元件，通过该发声元件加热周围气体 介质发出声波，所述支撑结构的材料具有绝热性能。

2.如权利要求1所述的发声装置，其特征在于，所述发声元件中至少部分碳纳 米管的两端分别与所述信号输入装置的两端电连接。

3.如权利要求1所述的发声装置，其特征在于，所述碳纳米管薄膜中的碳纳米 管并排设置，相邻两个碳纳米管之间通过范德华力紧密结合，且相邻两个碳 纳米管之间的距离小于50微米。

4.如权利要求1所述的发声装置，其特征在于，所述发声元件包括至少两层重 叠设置的碳纳米管薄膜，相邻两层碳纳米管薄膜之间通过范德华力紧密结 合，且相邻两层碳纳米管薄膜中的碳纳米管之间形成一夹角α，α大于等于 0度且小于等于90度。

5.如权利要求4所述的发声装置，其特征在于，所述发声元件为一网状结构， 该网状结构包括均匀分布的微孔，该微孔的孔径小于50微米。

6.如权利要求1所述的发声装置，其特征在于，所述发声元件的厚度为0.5纳 米～1毫米。

7.如权利要求1所述的发声装置，其特征在于，所述碳纳米管薄膜中的碳纳米 管为单壁碳纳米管、双壁碳纳米管及多壁碳纳米管中的一种或多种，所述单 壁碳纳米管的直径为0.5纳米～50纳米，所述双壁碳纳米管的直径为1.0纳 米～50纳米，所述多壁碳纳米管的直径为1.5纳米～50纳米。

8.如权利要求1所述的发声装置，其特征在于，所述发声元件直接设置并贴合 于该支撑结构的表面。

9.如权利要求1所述的发声装置，其特征在于，所述支撑结构的材料为金刚石、 玻璃、石英、塑料或树脂。

10.如权利要求1所述的发声装置，其特征在于，所述支撑结构为一V型、U 型结构或一具有狭窄开口的腔体，所述发声元件通过该支撑结构部分悬空设 置，在所述发声元件至支撑结构之间形成一拢音空间。

11.如权利要求1所述的发声装置，其特征在于，所述支撑结构为一立体结构， 所述发声元件环绕所述支撑结构设置。

12.如权利要求1所述的发声装置，其特征在于，所述发声装置进一步包括至少 两电极，该至少两电极间隔设置于所述发声元件表面且与所述发声元件电连 接。

13.如权利要求12所述的发声装置，其特征在于，所述发声元件中的部分碳纳 米管的两端分别与所述至少两电极电连接。

14.如权利要求12所述的发声装置，其特征在于，所述至少两电极进一步通过 导线与所述信号输入装置的两端电连接。

15.如权利要求14所述的发声装置，其特征在于，所述发声装置包括多个电极， 该多个电极间隔设置且均与所述发声元件电连接，且该多个电极中任意两个 相邻的电极分别与所述信号输入装置的两端电连接。

16.如权利要求15所述的发声装置，其特征在于，所述电极的材料为金属、导 电胶、金属性碳纳米管或铟锡氧化物。

17.如权利要求12所述的发声装置，其特征在于，所述发声装置进一步包括一 导电粘结层设置在所述至少两电极和发声元件之间。

18.如权利要求1所述的发声装置，其特征在于，所述信号输入装置输入的信号 包括交流电信号或音频电信号。