[发明专利]电源电路

权利要求书

1.一种电源电路，其包括一交流-直流转换电路、一脉宽调制控制器、一开关晶体管、一变压器及一整流滤波电路，在该脉宽调制控制器及该开关晶体管的控制下，外界交流电压依次通过该交流-直流转换电路、该变压器及该整流滤波电路转变为直流电压，其特征在于：该电源电路还包括一缓启动电路，该缓启动电路设置在该整流滤波电路与负载之间，该整流滤波电路包括一第一输出端及一第二输出端，该缓启动电路包括一第一电阻、一第二电阻、一第三电阻、一电容、一第一晶体管、一第二晶体管、一第三晶体管、一第一输出端及一第二输出端，该第一电阻及该第二电阻串接在该整流滤波电路的第一输出端与地之间，该电容与该第一电阻并联，该第一晶体管的控制极通过该第一电阻接地，该第一晶体管的第一传导极接地，该第一晶体管的第二传导极与该第二晶体管的控制极连接，该第二晶体管的控制极通过该第三电阻与该整流滤波电路的第一输出端连接，该第二晶体管的第一传导极与该整流滤波电路的第一输出端连接，该第二晶体管的第二传导极与该缓启动电路的第一输出端连接，该第三晶体管的控制极与该第二晶体管的控制极连接，该第三晶体管的第一传导极与该整流滤波电路的第二输出端连接，该第三晶体管的第二传导极与该缓启动电路的第二输出端连接。

2.如权利要求1所述的电源电路，其特征在于：该第一晶体管为双极晶体管，其控制极即该双极晶体管的基极，其第一传导极即该双极晶体管的发射极，其第二传导极即该双极晶体管的集电极。

3.如权利要求2所述的电源电路，其特征在于：该第一晶体管为NPN型双极晶体管。

4.如权利要求1所述的电源电路，其特征在于：该第一晶体管为金属氧化物半导体场效晶体管，其控制极即该金属氧化物半导体场效晶体管的栅极，其第一传导极即该金属氧化物半导体场效晶体管的源极，其第二传导极即该金属氧化物半导体场效晶体管的漏极。

5.如权利要求4所述的电源电路，其特征在于：该第一晶体管为N沟道金属氧化物半导体场效晶体管。

6.如权利要求1所述的电源电路，其特征在于：该第二晶体管为金属氧化物半导体场效晶体管，其控制极即该金属氧化物半导体场效晶体管的栅极，其第一传导极即该金属氧化物半导体场效晶体管的源极，其第二传导极即该金属氧化物半导体场效晶体管的漏极。

7.如权利要求6所述的电源电路，其特征在于：该第二晶体管为P沟道金属氧化物半导体场效晶体管。

8.如权利要求1所述的电源电路，其特征在于：该第三晶体管为金属氧化物半导体场效晶体管，其控制极即该金属氧化物半导体场效晶体管的栅极，其第一传导极即该金属氧化物半导体场效晶体管的源极，其第二传导极即该金属氧化物半导体场效晶体管的漏极。

9.如权利要求8所述的电源电路，其特征在于：该第三晶体管为P沟道金属氧化物半导体场效晶体管。