[发明专利]凹槽型共面波导结构的毫米波射频微机电系统双频移相器

权利要求书

1.凹槽型共面波导结构的毫米波射频微机电系统双频移相器，它由n个金属桥(4)、n个绝缘的介质基片(5)和共面波导(6)组成，所述共面波导(6)包括基板(1)、信号线(2)和两根地线(3)，信号线(2)固定在基板(1)上表面的中间，在信号线(2)的两侧间隔固定有地线(3)，所述金属桥(4)周期跨在共面波导(6)的基板(1)上，所述金属桥(4)与所述信号线(2)垂直，每个金属桥(4)的两端分别固定在共面波导(6)上的两根地线(3)上，介质基片(5)固定在金属桥(4)下方的信号线(2)的上表面，其特征在于所述介质基片(5)的宽度与信号线(2)的宽度相同，信号线(2)沿纵向方向开有n组垂直表面的凹槽，每一组凹槽对应设置在介质基片(5)的下方并至少露出l₂长度，每一组凹槽由两个沿横向并行排列的矩形凹槽(7)组成，矩形凹槽(7)之间的距离为W₂，每一个矩形凹槽(7)的长度为l₁、宽度为G₂。

2.根据权利要求1所述的凹槽型共面波导结构的毫米波射频微机电系统双频移相器，其特征在于所述矩形凹槽(7)的长度l₁为20～50μm、宽度G₂为5～30μm。

3.根据权利要求1所述的凹槽型共面波导结构的毫米波射频微机电系统双频移相器，其特征在于所述每一组凹槽露出介质基片(5)的长度l₂为20～30μm。

4.根据权利要求1所述的凹槽型共面波导结构的毫米波射频微机电系统双频移相器，其特征在于所述矩形凹槽(7)之间的距离W₂为5～30μm。

5.根据权利要求1所述的凹槽型共面波导结构的毫米波射频微机电系统双频移相器，其特征在于共面波导(6)端口与第一个金属桥(4)之间的距离e为100～300μm。

6.根据权利要求1所述的凹槽型共面波导结构的毫米波射频微机电系统双频移相器，其特征在于相邻的两个金属桥(4)之间的距离与相邻的两组凹槽之间的距离相同，距离S为80～120μm。

7.根据权利要求6所述的凹槽型共面波导结构的毫米波射频微机电系统双频移相器，其特征在于共面波导(6)的基板(1)采用Si或GaAs材料制成。

8.根据权利要求6所述的凹槽型共面波导结构的毫米波射频微机电系统双频移相器，其特征在于共面波导(6)还包括多晶硅层(8)，多晶硅层(8)设置在基板(1)与信号线(2)和地线(3)之间。 

9.根据权利要求8所述的凹槽型共面波导结构的毫米波射频微机电系统双频移相器，其特征在于多晶硅层(8)采用SiO2材料制成。