[发明专利]电压反馈单级功率因数校正电路

权利要求书

1.电压反馈单级功率因数校正电路，包括第二整流器、升压电感(La)、电容器(Cb)、变压器电压反馈电路、高频开关管(Q1)和带中心抽头的变压器(T1)，其特征在于：

所述的第二整流器，用于将输入的交流电整流为双脉波直流后传输到升压电感(La)并为其充电，包括第三二极管(D3)、第四二极管(D4)、第五二极管(D5)和第六二极管(D6)构成的桥式整流电路；

所述的升压电感(La)，用于将第二整流器的输出电流传输到带中心抽头的变压器(T1)，并经过所述变压器(T1)将能量传输到副边输出；所述的升压电感(La)前端连接第二整流器输出端，后端连接到所述变压器(T1)的中心抽头(2)；

所述的电容器(Cb)，用于平衡功率、减小输出纹波，其正端接所述变压器(T1)的同名端(1)，负端接地；

所述的变压器电压反馈电路用于将母线电压耦合到升压电感(La)，限制了母线电压过高，它包括一反馈绕组(N2)，所述的反馈绕组(N2)是所述变压器原边绕组(Np)的该中心抽头(2)和非同名端(3)之间的一段绕组；

所述的高频开关管(Q1)，其第一极接所述变压器原边绕组的非同名端(3)，第二极接地，第三极接高频控制信号。

2.如权利要求1所述的电压反馈单级功率因数校正电路，其特征在于所述的第五二极管(D5)和第六二极管(D6)都是快恢复或超快恢复的二极管，其封装是独立的两个二极管，或者是共阴极封装的二极管。

3.如权利要求1所述的电压反馈单级功率因数校正电路，其特征在于还设有第一整流器，所述的第一整流器包括第一二极管(D1)和第二二极管(D2)，并与所述的第三二极管(D3)和第四二极管(D4)构成桥式整流电路，将输入的交流电整流为双脉波直流后传输到电容器(Cb)的正端，实现开机对电容器(Cb)的预充电，使所述功率因数校正电路快速稳定，所述功率因数校正电路稳定工作后第一二极管(D1)和第二二极管(D2)反偏截止。

4.如权利要求3所述的电压反馈单级功率因数校正电路，其特征在于所述的第一二极管(D1)和第二二极管(D2)的阳极分别接于交流电两侧，阴极连接在一起并接于电容器(Cb)的正端。

5.如权利要求4所述的电压反馈单级功率因数校正电路，其特征在于所述的第一二极管(D1)和第二二极管(D2)是独立的两个二极管、或者是共阴极封装的二极管、或者是与第三二极管(D3)和第四二极管(D4)组成的桥堆的上半桥堆。

6.如权利要求1所述的电压反馈单级功率因数校正电路，其特征在于还设有一个包括第八二极管(D8)、第九二极管(D9)和辅助电感(Lb)的功率因数提升电路，在输入交流电压过零点附近，交流电的正半周或负半周通过该功率因数提升电路；所述的第八二极管(D8)、第九二极管(D9)的阳极分别接于交流输入两端，阴极连接在一起并连接辅助电感(Lb)的一端，辅助电感(Lb)的另一端接于所述变压器原边绕组的非同名端(3)。

7.如权利要求6所述的电压反馈单级功率因数校正电路，其特征在于所述的第八二极管(D8)和第九二极管(D9)都是快恢复或超快恢复的二极管，其封装是独立的两个二极管，或者是共阴极封装的二极管。

8.如权利要求1所述的电压反馈单级功率因数校正电路，其特征在于所述变压器(T1)的中心抽头(2)是所述变压器原边绕组同名端(1)和非同名端(3)之间的任何一点。

9.如权利要求1-8任何一项所述的电压反馈单级功率因数校正电路，其特征在于所述的变压器(T1)是反激式、正激式或半桥式。

10.如权利要求1-8任何一项所述的电压反馈单级功率因数校正电路，其特征在于所述的高频开关管(Q1)是N沟道的功率MOSFET、P沟道的功率MOSFET或IGBT。