[发明专利]一种生成包含天线效应信息文件的方法无效

专利信息
申请号: 200810045809.0 申请日: 2008-08-14
公开(公告)号: CN101339578A 公开(公告)日: 2009-01-07
发明(设计)人: 郭雨来;邹铮贤 申请(专利权)人: 四川登巅微电子有限公司
主分类号: G06F17/50 分类号: G06F17/50
代理公司: 成都天嘉专利事务所 代理人: 方强
地址: 610041四川省*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 生成 包含 天线 效应 信息 文件 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及集成电路后端设计的领域,特别是一种生成包含天线效应信息文件的方法。

背景技术

在集成电路芯片生产制造过程中,浮空的金属线或者多晶硅导体在工艺过程(如等离子刻蚀)中会象天线一样收集电荷。当金属线或者多晶硅导体总长度较大并且直接连接到多晶硅栅时,随着其收集的电荷的积累,电压也随着升高,就有可能击穿薄栅氧化层,这种现象称为天线效应。通常情况下,我们用“天线比率”(“antenna ratio”)来衡量一颗芯片能发生天线效应的几率。“天线比率”的定义是:构成所谓“天线”的导体(一般是金属或者多晶硅连线)的面积与所相连的栅氧化层面积的比率。

天线效应在0.18um以下工艺中尤其明显,会影响芯片良率,造成可靠性问题。一般电路版图设计过程可以考虑天线效应对芯片的影响,尤其是在芯片中使用IP核(知识产权核Intellectual Property Core,指实现某种功能的集成电路设计,是一段具有特定电路功能的硬件描述语言程序,该程序与集成电路工艺无关,可以移植到不同的半导体工艺中去生产集成电路芯片。IP核有两种,与工艺无关的VHDL程序称为软核;具有特定电路功能的集成电路版图称为硬核。硬核一般不允许更改,利用硬核进行集成电路设计难度大,但是容易成功流片。)的时候,因为把IP做为一个黑盒子,不知道IP的port(IP的输入输出端口)在IP内部的连接情况,所以在使用IP的时候需要一个包含IP所有port连接信息的文件,比如CLF(Cell library Format,在集成电路设计中定义子模块信息的文件)文件,这个文件中应该包含连接到port上的所有金属线、多晶硅连线和扩散区域的信息(金属线、多晶硅连线和扩散区域的面积,这些线面积与栅氧化层面积的比值等)。对于不同的自动布局布线的工具,CLF文件的格式是不一样的,比如现在比较常用的自动布局布线工具Astro(Synopsys公司的自动布局布线工具)和Soc Encounter(Candence公司的自动布局布线工具),都有各自不同的CLF文件的格式,这些工具之间的CLF文件不能互用。

目前生成CLF文件的方法主要是人工编辑,即把每个port上连接的金属线、多晶硅连线和扩散区域手动加进固定格式的CLF文件中,另外的方法就是自动布局布线工具中包含转化CLF文件的方法。

比较大的设计,比如大的模拟IP,手工生成CLF文件的时候需要具体的计算每个port上连接的导体的面积,其耗时多而且容易出错;对于借助自动布局布线工具提供的生成CLF的方法,同样存在耗时的问题,因为这些工具都不能直接从版图提取CLF。

发明内容

本发明为解决上述问题提供了一种生成包含天线效应信息文件的方法,能借助版图验证工具,直接快速地从版图提取CLF文件。

本发明的技术方案如下:

一种生成包含天线效应信息文件的方法,其特征在于:首先从版图中生成GDSII文件,然后将GDSII文件通过版图验证工具运行生成包含连线信息的文件,最后将包含连线信息的文件中的连线信息写入CLF文件中。

所述版图是集成电路设计中电路的图形表现形式,是连接集成电路设计和集成电路制造的桥梁。

所述GDSII(geometry data standard ii)是二维图形的标准文件格式,GDSII格式的文件是集成电路版图的图形文件,二维图形的标准文件格式为二进制形式的文件,大部分版图验证工具都支持这种格式的文件。在版图编辑工具(如Virtuoso,Laker和L-edit等)中,通过版图编辑工具自带的功能,可以直接产生编辑好的集成电路版图的GDSII文件。

为了从GDSII中提取所需要的包含连线信息的文件,需要利用版图验证工具如Calibre,Hercules,Dracula,Diva等,而这些工具的运行必须要有一个运行文件,并且每个工具的运行文件都有各自固定的语法,这个文件一般是通过文本编辑软件来编写,并且是根据所使用工具编写运行文件,以便能通过这个运行文件运行所选的版图验证工具。

然后使用上述版图验证工具的运行文件运行版图验证工具,结果会生成包含连线信息的文件。

所述包含连线信息的文件中包含连接到port的金属线、多晶硅线和扩散区域的信息;所述连线信息包括金属线、多晶硅连线、扩散区域的面积或者周长,以及这些连线与栅氧化层面积或周长的比值。

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