[发明专利]一种高导热、高抗折强度氧化铍陶瓷材料的制备方法无效
申请号: | 200810045148.1 | 申请日: | 2008-01-10 |
公开(公告)号: | CN101219899A | 公开(公告)日: | 2008-07-16 |
发明(设计)人: | 钟朝位;张树人;梁健 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | C04B35/64 | 分类号: | C04B35/64;C04B35/63;C04B35/08 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 610054四*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 导热 高抗折 强度 氧化铍 陶瓷材料 制备 方法 | ||
1.一种高热导率、高抗折强度氧化铍陶瓷材料的制备方法,其特征是,包括如下步骤:
步骤一、瓷料生坯的制备,具体包括以下分步骤:
步骤1将BeO原料和Mg、Al、Si助烧剂分别分散并研磨成浆料;控制BeO原料浆料的平均粒度在1.0μm以下,浓度在30~60%之间;控制助烧剂浆料的平均粒度在0.5μm以下,浓度在1~30%之间;
步骤2将步骤1所得的助烧剂浆料按一定比例注入到步骤1所得的BeO原料的浆料中再混磨,具体注入比例为助烧剂浆料中助烧剂含量不超过BeO原料的浆料中所含BeO原料质量的0.5%;
步骤3将步骤2所得的BeO原料和助烧剂的混合浆料烘干、造粒,在按照实际所需的形状成型;
步骤二、将步骤一所得的瓷料生坯采取三段式烧结方式烧结,具体包括如下分步骤:
步骤4第一阶段烧结:在1000℃到1400℃之间的温度条件下保温烧结0.5~4小时,使瓷料生坯的粉末状微粒之间产生粘结,微粒的接触面积均匀增大,微粒的中心相互靠近、聚居,细小晶粒之间产生晶界;
步骤5第二阶段烧结:在第一阶段烧结完成后,以3℃~8℃/min的升温速度升温到1620℃到1680℃之间,使晶界获得较大的推力;
步骤6第三阶段烧结:在第二阶段烧结完成后,快速降温至1520℃到1580℃之间并保温烧结2~6小时,晶界在第二阶段烧结过程中获得较大的推力后,带着气孔一起前进,不使气孔包入晶粒的内部,使烧结体中原来连通的孔隙不段缩小,最终气孔被排除,实现烧结体的致密化。
2.根据权利要求1所述的高热导率、高抗折强度氧化铍陶瓷材料的制备方法,其特征是,所述步骤一的分步骤1中BeO原料和Mg、Al、Si助烧剂的分散并研磨过程中,分散并研磨方式采取球磨、搅拌磨、振磨或砂磨的方式分散并研磨;分散液采用去离子水、乙醇、异丙醇中的一种或一种以上;分散过程中加入甲基纤维素、柠蒙酸或聚丙稀酰胺一种或一种以上的改性剂。
3.根据权利要求1或2所述的高热导率、高抗折强度氧化铍陶瓷材料的制备方法,其特征是,所述步骤一的分步骤2中的混磨方式是球磨,时间为5~20小时。
4.根据权利要求1或2所述的高热导率、高抗折强度氧化铍陶瓷材料的制备方法,其特征是,所述步骤一的分步骤2中的混磨方式是振磨、搅拌磨或砂磨,时间为0.5~4小时。
5.根据权利要求1或2所述的高热导率、高抗折强度氧化铍陶瓷材料的制备方法,其特征是,所述步骤一的分步骤3中的具体烘干温度是80℃-150℃之间。
6.根据权利要求1或2所述的高热导率、高抗折强度氧化铍陶瓷材料的制备方法,其特征是,所述步骤二的分步骤5中的从第二阶段烧结温度到第三阶段烧结温度的降温时间不超过30分钟;第三阶段的保温烧结过程在空气中或还原性气氛中进行。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学,未经电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810045148.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。