[发明专利]淘金彩梅的组织培养快速繁殖方法无效

专利信息
申请号: 200810042785.3 申请日: 2008-09-11
公开(公告)号: CN101352146A 公开(公告)日: 2009-01-28
发明(设计)人: 汤桂钧;奥岩松;覃娟 申请(专利权)人: 上海交通大学
主分类号: A01H4/00 分类号: A01H4/00;A01G31/00;C05G1/00;A01C21/00
代理公司: 上海交达专利事务所 代理人: 王锡麟;王桂忠
地址: 200240*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 淘金 组织培养 快速 繁殖 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及一种花卉培养技术领域的方法,具体地说,涉及的是一种淘金彩梅的组织培养快速繁殖方法。

背景技术

淘金彩梅(Leptospermum scoparium),桃金娘科植物,原产于澳大利亚西部地区,树体最高可达3m,适应性强,耐寒,耐热,不择土壤,四季开花,尤以9月~翌年6月旺盛,12月~2月的冬季最旺,可为本市增加冬季开花树种。树形美观,花形似梅花,既可作绿化景观树,又可作盆花和鲜切花,尤其可贵的是作为木本鲜切花,其花价昂贵,在欧美市场上,单枝切花售价达1~2欧元,目前已在欧美、澳洲市场悄然升温。该树种无种子,扦插成活率只10%左右,往往无法满足市场需要,应用组织培养快繁种苗是实现大量推广应用的最佳方法。根据经验,解决生产用种苗的最佳繁殖方法当属组织培养技术,具有繁殖速度快,工厂化生产不受季节约束,提纯复壮、脱病毒等诸多优点。目前世界上广泛采用,在花卉产业中取得十分显著的经济效益和社会效益。

经对现有技术的文献检索发现,有关木本植物的组织培养有些报道,如中国专利《一种以茎段为外植体的川芎组织培养快繁方法》(专利申请号200810044987.1),该专利技术对以茎段为外植体的消毒方法是先用洗衣粉浸泡2min,再用流水冲洗3h,然后在无菌条件下分别采用浓度为70%的乙醇消毒20s、浓度为0.1%的升汞处理3min,最后用无菌水清洗4次。该操作相对比较繁琐,操作时间相对长一些,而且该专利技术炼苗和移栽使用的基质为蛭石,与珍珠岩和泥炭基质相比,对于试管苗的生长不是最为有利的。淘金彩梅是新近引进的优良木本花卉,上述专利中提及的方法无法应用淘金彩梅的组织培养上,而且进一步的检索中,尚未发现淘金彩梅组织培养成功的报道。

发明内容

本发明的目的是针对现有技术的不足,提供一种繁殖速度快,不受季节影响的淘金彩梅的组织培养快速繁殖方法,上盆移栽成活率可达100%。

本发明是通过以下技术方案实现的,本发明包括以下步骤:

第一步,嫩芽茎段培养:

①外植体的准备:选择淘金彩梅外植体,对该外植体进行洗涤、消毒处理;

②无菌系的建立和继代增殖

a.外植体经消毒后浅插于外植体诱导培养基上进行培养;

外植体诱导培养基每升中含有玉米素(ZT)2~4mg,萘乙酸(NAA)0.1~0.3mg,其余的是1/2MS,培养室温度为22±2℃,光强3000~3500LX,光照11~13h/d。

b.然后在继代增殖培养基中进行继代增殖培养;

继代增殖培养基每升中有6-苄氨基嘌呤(BA)0.4~0.6mg,激动素(KT)0.2~0.3mg,3-吲哚丁酸(IBA)0.1~0.3mg,其余为木本植物培养基WPM(Woody Plantmedium)。

③试管苗的生根培养

当继代增殖至设定数量后,将长度达到3cm以上,叶片4叶以上,叶色深绿健壮的幼苗转至生根培养基上生根成苗;

所述生根培养基每升中含有IBA 0.4~0.6mg,其余为1/2MS;

第二步,“二步法”育苗

①经过生根培养,新根陆续长出,将苗轻轻取出,漂洗干净,再将试管苗移入泥炭和珍珠岩基质中,浇足水后塑料薄膜覆盖,保湿控温保存;

②一段时间后揭开塑料薄膜逐步炼苗,根据基质干湿情况浇水,每隔一段时间施营养液,促进幼苗正常生长;

③两个月后将幼苗拔起,移入塑料穴盘中,育苗基质为泥炭和珍珠岩,此阶段以保健壮生长为主,保湿控温,每隔一段时间施加营养液。

所述外植体的准备,具体如下:

a.选择当年春季抽生的半木质化嫩枝,去除叶片,留一小段叶柄,切成1~2cm长的茎段;

b.用自来水冲洗15min,用洗洁精洗涤2次后吸干;

c.在无菌室超净台上用体积浓度为70%酒精消毒1min;用体积比1∶50洁尔敏消毒20min,再用体积浓度为0.1%升汞消毒15min;

d.用无菌蒸馏水冲洗3遍后沥干。

所述外植体经消毒后浅插于外植体诱导培养基上进行培养,其培养室温度为22±2℃,光强3000~3500LX,光照11~13h/d。

所述在继代增殖培养基中进行继代增殖培养,其培养室温度控制在24±2℃,光照11~13h/d,光强提高为3500LX,每30d继代增殖培养一次。

所述试管苗的生根培养,其培养室温度控制在22±2℃,光照11~13h/d,光强为3000~3500LX。

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