[发明专利]强磁场诱导合成单晶铋纳米线的方法无效
| 申请号： | 200810036378.1 | 申请日： | 2008-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN101314183A | 公开（公告）日： | 2008-12-03 |
| 发明（设计）人： | 任忠鸣;任维丽;徐永斌;邓康;钟云波 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | B22F9/24 | 分类号： | B22F9/24;C22B30/06;C30B29/02;C30B7/14 |
| 代理公司： | 上海上大专利事务所（普通合伙） | 代理人： | 顾勇华 |
| 地址： | 200444*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 磁场 诱导 合成 单晶铋 纳米 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种强磁场诱导合成单晶铋纳米线的方法，其特征在于具有以下的工艺过程和步骤：
a、称取一定量的铋酸钠，放置于烧杯中，再加入一定量的乙二醇于烧杯中，并用高速搅拌机剧烈搅拌30分钟；铋酸钠与乙二醇的用量配比为：每1克铋酸钠配以90毫升乙二醇；
b、将搅拌均匀的混合溶液转移至具有聚四氟乙烯内衬的反应釜中，并将其密封；
c、将所述反应釜置于通用的磁场发生装置中，施加的磁场强度为4～8T，并加热至210℃，在该温度下反应24小时；
d、反应完成后，待反应釜冷却至室温；卸压、开釜、离心分离，得到黑色沉淀反应物；
e、然后分别用乙醇和蒸馏水依次清洗上述的黑色沉淀，并在60℃温度下真空干燥2小时，最终获得单晶铋纳米线。
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