[发明专利]高效高精度蓝宝石抛光液及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及对蓝宝石的抛光技术，特别是对表面的精抛的抛光液技术。

背景技术

当前市场上的蓝宝石精抛抛光液主要以硅溶胶做抛光摩擦剂。在碱性料件下，硅溶胶的水和氧化硅与蓝宝石表面形成硅酸铝，在机械力的帮助下将坚硬的蓝宝石进行切削、抛光。现在市场上的蓝宝石抛光液固含量高，且效率低，在抛光工艺过程中容易板结，并容易在蓝宝石表面风干，不宜于后续的清洗工艺。

发明内容

本发明目的在于发明一种抛光效率高、抛光寿命长，抛光过程中不易出现板结、利于后续清洗的高效高精度蓝宝石抛光液。

本发明的有效成份包括粒径为15～80纳米的纳米硅溶胶、络和剂和表面活性剂，pH值为10～11。

本发明中不含有机胺化合物，该添加剂会导致抛光效率降低，通过合适的pH值控制抛光液的电导率其实现最优化的抛光性能，采用合理的原料通过化学增强法提高切削速率，配合络和化学增强抛光液的平化效率，有机地改进流体力学性能。该产品固含量低，产品抛光效率高，稳定性强，不宜在抛光机以及抛光产料表面沉积，其独特的流体性能在抛光后不宜在蓝宝石表面风干，大大降低了后续清洗工艺的负担。

本发明另一目的在于发明一种制备上述抛光液的制备方法：

先将粒径为15～80纳米的纳米硅溶胶颗粒分散在水中，形成悬浮液；再加入络和剂到悬浮液中；然后再加入表面活性剂；最后将悬浮液的pH值调节到10～11。

本发明之方法简单、合理，易于生产，产品稳定性好。

本发明抛光液的电导率大于100μs，且小于50ms。

本发明纳米硅溶胶、络和剂和表面活性剂重量分别占抛光液总重量的2.5％～20.5％、0.5％～2％、0.0002％～2.6％，其中，纳米硅溶胶的含固量为30％。

所述络和剂为二钾盐或四甲基氯化铵或甘氨酸或卤素离子化合物或非水解性离子化合物中的至少一种。

所述表面活性剂为硅烷聚二乙醇醚或聚二乙醇醚或十二烷基乙二醇醚中的其中一种。

具体实施方式

一、实施例1：

称取100克、粒径约15纳米、固含量30％的硅溶胶，加入882克水中，室温下搅拌均匀。再加入10.0克EDTA二钾盐，进一步搅匀。继续加入8.0克的硅烷聚二乙醇醚。最后用碳酸钾将pH调到10。最终电导率为3.2ms。

将所制样品在Logitech CDP单面抛光机上抛光。下压：2psi，下盘以及载盘转速50RPM，抛光液流速：100ml/分钟。该抛光液抛光速率为61.2纳米/分钟。抛光机以及抛光产料表面无沉积。

二、实施例2：

称取50克、粒径约15纳米、固含量30％的硅溶胶，加入1822克水中，室温下搅拌均匀。再加入13.5克四甲基氯化铵，进一步搅匀。继续加入4.5克的聚二乙醇醚。最后用碳酸钾将pH调到10。最终电导率为100μs。

将所制样品在Logitech CDP单面抛光机上抛光。下压：2psi，下盘以及载盘转速50RPM，抛光液流速：100ml/分钟。该抛光液抛光速率为83.7纳米/分钟。抛光机以及抛光产料表面无沉积。

三、实施例3：

称取150克、粒径约50纳米、固含量30％的硅溶胶，加入1722克水中，室温下搅拌均匀。再加入13.5克四甲基氯化铵，10克EDTA二钾盐，进一步搅匀。继续加入10克的聚二乙醇醚。最后用硫酸铜将pH调到10。最终电导率为48ms。

所制样品在Logitech CDP单面抛光机上抛光。下压：2psi，下盘以及载盘转速50RPM，抛光液流速：100ml/分钟。该抛光液抛光速率为90.5纳米/分钟。抛光机以及抛光产料表面无沉积。

四、实施例4：

称取400克、粒径约80纳米、固含量30％的硅溶胶，加入1502克水中，室温下搅拌均匀。再加入13.5克四甲基氯化铵以及20克甘氨酸，进一步搅匀。继续加入50克的十二烷基乙二醇醚。最后用硫酸铜将pH调到11。最终电导率为5.8ms。

所制样品在Logitech CDP单面抛光机上抛光。下压：2psi，下盘以及载盘转速50RPM，抛光液流速：100ml/分钟。该抛光液抛光速率为120.8纳米/分钟。抛光机以及抛光产料表面无沉积。