[发明专利]隧道结非接触式位移测量方法及位移传感器

权利要求书

1、一种隧道结非接触式位移测量方法，其特征在于在基片上安装有隧道结阵列，所述的隧道结阵列外接有可以探测出每个隧道结电阻大小变化的外围电路，每个隧道结对应一个确定的位置信息；隧道结阵列上方设置一个可移动的激光光源，当激光光源发出的激光束照射到某一个隧道结上时，该隧道结的外围电路感知其电阻变化，从而得到该隧道结的位置信息，从而得出与激光光源位置相对应的待测对象的位移或长度。

2、根据权利要求1所述的隧道结非接触式位移测量方法，其特征在于在基片上安装的隧道结阵列为一列隧道结，在隧道结阵列上方设置一个与隧道结阵列平行的轨道，轨道内安装有滑块，激光光源安装于滑块上，所述的滑块可沿轨道移动。

3、根据权利要求1所述的隧道结非接触式位移测量方法，其特征在于所述隧道结的钉扎层采用合成钉扎形式，所述合成钉扎形式为反铁磁层/铁磁层/非磁性层/铁磁层；所述的隧道结可以用巨磁电阻材料替代。

4、一种隧道结非接触式位移传感器，其特征在于包括有基片，在基片上安装有隧道结阵列，所述的隧道结阵列外接有可以探测出每个隧道结电阻大小变化的外围电路；隧道结阵列上方安装有与隧道结阵列平行的轨道，轨道内安装有滑块，激光光源安装于滑块上，所述的滑块可沿轨道移动，激光光源位于隧道结的上方，其发射光束方向照射到隧道结上。

5、根据权利要求4所述的隧道结非接触式位移传感器，其特征在于所述的隧道结阵列为一列隧道结，当滑块移动时，激光光源的光斑覆盖或部分覆盖一个隧道结时，不会同时覆盖到另一个隧道结。

6、根据权利要求4所述的隧道结非接触式位移传感器，其特征在于所述的激光光源为短波长。

7、根据权利要求4所述的隧道结非接触式位移传感器，其特征在于隧道结阵列中的每个隧道结具有大小相同的结面积，相近的电阻、磁电阻，隧道结自由层的矫顽力大小相等，每个隧道结相互之间的距离且每个隧道结已编号。

8、根据权利要求4所述的隧道结非接触式位移传感器，其特征在于所述隧道结的钉扎层采用合成钉扎形式，所述合成钉扎形式为反铁磁层/铁磁层/非磁性层/铁磁层；所述的隧道结可以用巨磁电阻材料替代。