[发明专利]声表面波复合结构材料和应用无效

专利信息
申请号: 200810018878.2 申请日: 2008-01-29
公开(公告)号: CN101227178A 公开(公告)日: 2008-07-23
发明(设计)人: 公勋;商晓莉;章德 申请(专利权)人: 南京大学
主分类号: H03H9/02 分类号: H03H9/02;H03H9/25;H03H9/64;H03H9/48;H03H9/42;B32B7/02;B32B33/00;B32B9/00
代理公司: 南京天翼专利代理有限责任公司 代理人: 汤志武;王鹏翔
地址: 210093*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 表面波 复合 结构 材料 应用
【权利要求书】:

1.声表面波复合结构材料,其特征是由36°-46°Y-X LiTaO3压电单晶基板和沉积其上的一层二氧化碲(TeO2)薄膜构成;声表面波器件结构处在两种材料的界面上。

2.根据权利要求1所述的声表面波复合结构材料,其特征是36°-46°Y-X LiTaO3是旋转角为36°至46°的Y-X LiTaO3;是指以晶体正交晶轴坐标系(X,Y,Z)为参考,基板取向用两个连续旋转角α和β来表示;在这里α对应绕Z轴的第一次旋转,经第一次旋转,得到的坐标系统用(X’,Y’,Z’)表示,其中Z’轴和Z轴重合;β对应绕X’轴的第二次旋转;在最终得到的坐标系统中,声波的传播方向用第三个角度γ表示;而γ对应绕Y”的旋转角,(α,β,γ)被称为欧拉角;36°-46°旋转Y-X LiTaO3基板的欧拉角为(0°,-54°至-44°,0°)。

3.声表面波复合结构材料的应用,其特征是利用所述材料的界面声波的一阶love波,制造的延迟线、谐振器、滤波器等声表面波器件,叉指换能器沉积在36°-46°旋转Y-X LiTaO3基板上,然后再在上面沉积一层非晶TeO2薄膜;界面波在两种材料的界面上传播。

4.由权利要求3所述的声表面波复合结构材料的应用,其特征是实现零TCD所需非晶TeO2薄膜的归一化厚度,二氧化碲(TeO2)薄膜膜厚和波长比kh为0.46至0.42左右,其中k=2π/λ为波数,h为膜厚。

5.由权利要求3或4所述的声表面波复合结构材料的应用,其特征是适用于宽带声表面波器件,通过控制非晶TeO2薄膜的膜厚获得最大机电耦合系数:对于非晶态TeO2/36°、38°、40°、42°、44°、46°Y-X LiTaO3,非晶TeO2薄膜的膜厚和波长比kh应分别取为0.35、0.35、0.35、0.34、0.34和0.34左右时,得到最大机电耦合系数分别为8.7%、8.6%、8.2%、8.0%、7.7%、7.4%左右。

6.由权利要求3或4所述的声表面波复合结构材料的应用,其特征是Y-X LiTaO3基板旋转切角的选取取决于器件的工作频率:当工作频率在几百MHz以下时,选取36°-40°;当工作频率在几百MHz以上,甚至在GHz频域时,应该选取40°-46°较大的角度;这时的TCD分别为20、15、20、17、14和16ppm左右。

7.由权利要求3或4所述的声表面波复合结构材料的应用,其特征是工作模式是界面波模式,声表面波在两层结构结合的界面附近传播,界面波模式允许和更适合晶片级封装或省去封装。

8.由权利要求3或4所述的声表面波复合结构材料的应用,其特征是对于非晶态TeO2/36°、38°、40°、42°、44°、46°Y-X LiTaO3,实现零TCD所需非晶TeO2薄膜的归一化厚度,膜厚和波长比kh分别为0.44、0.46、0.45、0.45、0.42和0.42左右;k=2π/λ为波数,h为膜厚;这时机电耦合系数K2分别为8.32%、8.02%、7.75%、7.46%、7.38%和7.11%左右。

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