[发明专利]氧化锌多结光电池和光电器件

权利要求书

1.一种ZnO组合物包括Zn_xA_1-xB_1-yO_y，其中x可以在0至1之间变化，且0≤y≤1，A选自相 关元素包括Mg、Be、Ca、Sr、Cd和In，和B选自相关元素包括Te和Se。

2.根据权利要求1所述的ZnO组合物，其中0.6≤x＜1且0.7＜y≤1。

3.根据权利要求2所述的ZnO组合物，其中，A、B、x、y被选择用于提供一具有带隙小于 或等于约1.9伏特的半导体。

4.根据权利要求3所述的ZnO组合物，其中，A包含Cd，B包含Te。

5.根据权利要求1所述的ZnO组合物，其中，所述组份是一p型导体材料。

6.根据权利要求5所述的ZnO组合物，其中，所述组份掺杂一选自下列组包括Au、Ag和K 的p型掺杂剂。

7.根据权利要求1所述的ZnO组合物，其中，所述组份是一n型导体材料。

8.根据权利要求7所述的ZnO组合物，其中，所述组份掺杂一选自下列组包括Al、Ga、In 的n型掺杂剂。

9.一种ZnO结晶薄膜层包含在一衬底上沉积的Zn_xA_1-xB_1-yO_y，其中，x可以在0至1之间变 化且0＜y＜1，A选自相关元素包括Mg、Be、Ca、Sr、Cd和In，和B选自相关元素包括 Te和Se。

10.根据权利要求9所述的ZnO结晶薄膜层，其中，0.7＜y≤1。

11.根据权利要求9所述的ZnO结晶薄膜层，其中，所述层为一外延层。

12.根据权利要求9所述的ZnO结晶薄膜层，其中，所述衬底选自下列组包括ZnO、三价氮 化物、蓝宝石、硅、ScAlMg或玻璃衬底。

13.根据权利要求9所述的ZnO结晶薄膜层，其中，x、y、A和B被选择用于提供一小于约 1.9伏特的带隙。

14.根据权利要求9所述的ZnO结晶薄膜层，其中，A包含Cd，B包含Te。

15.根据权利要求9所述的ZnO结晶薄膜层，其中，所述组份是一p型导体材料。

16.根据权利要求15所述的ZnO结晶薄膜层，其中，所述组份掺杂一选自下列组包括Au、 Ag和K的p型掺杂剂。

17.根据权利要求9所述的ZnO结晶薄膜层，其中，所述组份是一n型导体材料。

18.根据权利要求17所述的ZnO结晶薄膜层，其中，所述组份掺杂一选自下列组包括Al、 Ga或In的n型掺杂剂。

19.一种具有至少一结的半导体光电器件，包括：

一n型半导体材料；

一被排列与所述n型半导体材料相接触的p型半导体材料；

其中每个n型半导体材料和p型半导体材料包括一Zn_xA_1-xO_yB_1-y(0≤x≤1)(0≤y≤1)形式的化 合物，其中A选自下列相关元素组包括Mg、Be、Ca、Sr、Ba、Mn、Cd和In，其中B 选自下列相关元素组包括Te和Se，其中每个x、y、A和B被选择用于提供一对应于所 选的所述光电器件吸收的光谱范围的结带隙。

20.根据权利要求19所述的半导体光电器件，其中，所述p型半导体材料包含一掺杂一选自 下列元素组包括Ag、Au和K的掺杂剂的半导体材料。

21.根据权利要求19所述的半导体光电器件，其中，所述n型半导体材料包含一掺杂一选自 下列元素组包括Al、In和As的掺杂剂的半导体材料。