[发明专利]制造结构化隔离衬片的方法无效

专利信息
申请号: 200780036418.6 申请日: 2007-09-25
公开(公告)号: CN101522393A 公开(公告)日: 2009-09-02
发明(设计)人: 弗兰克·T·谢尔;戴维·J·亚鲁索;布赖恩·E·斯贝瓦克 申请(专利权)人: 3M创新有限公司
主分类号: B29C47/06 分类号: B29C47/06;B29C47/04
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 代理人: 丁业平;戚秋鹏
地址: 美国明*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 制造 结构 隔离 方法
【权利要求书】:

1.一种形成层合构造的方法,所述方法包括:

提供可挤出的材料;

通过具有轮廓的模具挤出所述可挤出的材料,从而形成基部和所述 基部上的至少一条导轨,其中所述导轨具有超出所述基部小于100 微米的高度;

其中所述导轨形成结构化表面,并且

其中所述可挤出的材料包含有机硅或碳氟化合物剥离材料,以及使 粘合剂与所述结构化表面接触,从而在所述结构化表面上形成粘合 剂层;或者,

所述方法还包括将有机硅或碳氟化合物剥离材料涂覆并覆盖到所述 结构化表面上,从而形成剥离层,以及使粘合剂与所述剥离层接 触,从而在所述剥离层上形成粘合剂层。

2.根据权利要求1所述的方法,所述方法包括提供第一和第二可挤出 的材料,并通过所述模具挤出所述第一和第二可挤出的材料,从而 形成第一层和第二层。

3.根据权利要求2所述的方法,其中每条导轨包括所述第一层和第二 层,并且所述基部包括所述第一层。

4.根据权利要求2所述的方法,其中每条导轨包括所述第二层,并且 所述基部包括所述第一层和第二层。

5.根据权利要求2所述的方法,其中每条导轨基本上包括所述第二 层,并且所述基部基本上包括所述第一层。

6.根据权利要求1所述的方法,其中每条导轨具有超出所述基部小于 50微米的高度。

7.根据权利要求1所述的方法,其中每条导轨具有超出所述基部小于 30微米的高度。

8.根据权利要求1所述的方法,其中所述接触步骤包括将所述粘合剂 涂覆到所述结构化表面上。

9.根据权利要求1所述的方法,其中所述接触步骤包括将所述粘合剂 层合到所述结构化表面上。

10.根据权利要求1所述的方法,所述方法包括使背衬以与所述结构化 表面相对的方式和所述粘合剂层接触。

11.根据权利要求1所述的方法,所述方法包括使第二隔离衬片以与所 述结构化表面相对的方式和所述粘合剂层接触。

12.根据权利要求11所述的方法,其中所述第二隔离衬片具有结构化表 面。

13.一种形成层合构造的方法,所述方法包括:

提供可挤出的材料;

提供现有基底;

通过具有轮廓的模具挤出所述可挤出的材料,从而在所述现有基底 上形成基部和至少一条导轨,并且每条导轨具有超出所述基部小于 100微米的高度;

其中所述导轨形成结构化表面,并且

其中所述可挤出的材料包含有机硅或碳氟化合物剥离材料,以及使 粘合剂与所述结构化表面接触,从而在所述结构化表面上形成粘合 剂层;或者,

所述方法还包括将有机硅或碳氟化合物剥离材料涂覆并覆盖到所述 结构化表面上,从而形成剥离层,以及使粘合剂与所述剥离层接 触,从而在所述剥离层上形成粘合剂层。

14.根据权利要求13所述的方法,所述方法包括提供第一和第二可挤出 的材料,并通过所述模具挤出所述第一和第二可挤出的材料,从而 形成第一层和第二层。

15.根据权利要求14所述的方法,其中每条导轨包括所述第一层和第二 层,并且所述基部包括所述第一层。

16.根据权利要求14所述的方法,其中每条导轨包括所述第二层,并且 所述基部包括所述第一层和第二层。

17.根据权利要求14所述的方法,其中每条导轨基本上包括所述第二 层,并且所述基部基本上包括所述第一层。

18.根据权利要求13所述的方法,其中每条导轨具有超出所述基部小于 50微米的高度。

19.根据权利要求13所述的方法,其中每条导轨具有超出所述基部小于 30微米的高度。

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