[发明专利]用于流体分析仪的三晶片通道结构有效

专利信息
申请号: 200780016802.X 申请日: 2007-02-13
公开(公告)号: CN101443659A 公开(公告)日: 2009-05-27
发明(设计)人: U·博纳;R·希加施 申请(专利权)人: 霍尼韦尔国际公司
主分类号: G01N30/60 分类号: G01N30/60;B01L3/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 曾祥夌;刘华联
地址: 美国新*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 用于 流体 分析 晶片 通道 结构
【权利要求书】:

1.一种用于流体分析仪的通道构件,包括:

第一晶片;

位于所述第一晶片上的第二晶片;

位于所述第二晶片上的膜片;

位于所述膜片上的第三晶片;

位于所述膜片上的所述流体分析仪的固定相;

位于所述第三晶片中的用于接收样品流的第一通道,其具有面向 所述固定相的敞开侧;和

位于所述第一晶片中的用于接收所述样品流的第二通道,其具有 面向所述膜片的敞开侧;

其中所述膜片具有位于所述第一通道和所述第二通道之间的开 口,所述开口大体上垂直于所述样品流的流动进行延伸。

2.根据权利要求1所述的构件,其特征在于,所述构件还包括 位于所述膜片中邻近所述固定相的加热器。

3.根据权利要求2所述的构件,其特征在于,所述膜片中的开 口使所述第一通道和所述第二通道中的压力平衡,并且抑制在受热膜 片和其中至少一个通道的一个或多个壁之间的热传导。

4.根据权利要求1所述的构件,其特征在于,所述构件还包括:

位于所述膜片中的检测器;且

其中,所述检测器具有面向所述第一通道和面向所述第二通道的 检测区域。

5.根据权利要求1所述的构件,其特征在于,包括所述第一晶 片、所述第二晶片、所述第三晶片和所述膜片的所述构件中的至少一 个元件包括比硅更低的热导率的材料。

6.一种用于流体流的分析仪的构件,包括:

中间晶片,其具有沿着所述中间晶片的伸长尺寸而定位的开口;

支承部件,其定位成邻近所述中间晶片的开口,并具有与所述中 间晶片的伸长尺寸大致平行的伸长尺寸;

顶盖晶片,其具有沿着所述顶盖晶片的伸长尺寸与所述中间晶片 的伸长尺寸大致平行的通道,且所述通道具有沿着所述中间晶片的伸 长尺寸的开口,并且使得所述通道的开口面向所述支承部件;和

底盖晶片,其定位成邻近所述中间晶片并且覆盖所述中间晶片的 开口的一侧,所述开口的一侧与所述中间晶片的开口面向所述顶盖晶 片的通道的一侧相反;

其中所述支承元件具有至少一个穿孔,其位于所述顶盖的通道和 所述中间晶片的开口之间,所述穿孔大体上垂直于样品流的流动进行 延伸。

7.根据权利要求6所述的构件,其特征在于,所述构件还包括:

至少一个位于所述支承部件中的加热元件;和

至少一个邻近所述加热元件的交互式元件。

8.根据权利要求7所述的构件,其特征在于:

所述支承部件的表面和所述交互式元件的表面可曝露于样品流 体中;以及

所述支承部件中的检测器可具有活动的检测区域,所述检测区域 邻近所述支承部件的表面,其面向所述顶盖的通道之间的开口,并且 所述检测区域邻近面向所述中间晶片的开口的表面。

9.根据权利要求6所述的构件,其特征在于:

所述支承部件利用选自粘性聚合物、焊料金属以及形成阳极结合 的元件的材料而结合到所述中间晶片上;

所述顶盖晶片利用选自粘性聚合物、焊料金属以及形成阳极结合 的元件的材料而结合到所述支承部件上;且

所述底盖晶片利用选自粘性聚合物、焊料金属以及形成阳极结合 的元件的材料而结合到所述中间晶片上。

10.根据权利要求6所述的构件,其特征在于:

所述通道具有入口和出口;

所述入口具有联接到其上的第一毛细管;以及

所述出口具有联接到其上的第二毛细管。

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