[发明专利]导电性触头支架有效
申请号: | 200780015483.0 | 申请日: | 2007-04-25 |
公开(公告)号: | CN101454676A | 公开(公告)日: | 2009-06-10 |
发明(设计)人: | 中山浩志;广中浩平;真船洋祐 | 申请(专利权)人: | 日本发条株式会社 |
主分类号: | G01R1/067 | 分类号: | G01R1/067;G01R1/073;G01R31/26 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 李贵亮 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 导电性 支架 | ||
技术领域
本发明涉及一种收容用于半导体集成电路等电路构造的通电检查的 导电性触头的导电性触头支架。
背景技术
在进行IC芯片等半导体集成电路的通电检查时,使用对应该半导体 集成电路具有的外部连接用电极的设置样式将多个导电性触头收容于规 定的位置的导电性触头组件。该导电性触头组件具备为了收容多个导电性 触头而用绝缘性材料形成的导电性触头支架。
但是,近年的半导体集成电路为了实现高速运算处理逐渐具有通过具 有几百兆赫兹(MHz)~几百千兆赫兹(GHz)程度的高频率的电信号(高 频信号)进行动作的构造。另外,半导体集成电路的高集成化及小型化也 显著进步。
在这样的状况下,对于可实现与高频率信号对应、并可应用于高集成 化、小型化的半导体集成电路的检查的导电性触头而言,希望其外径能够 尽量减小,但在该情况下其耐久性会存在问题,并且组装也极为困难。作 为现有的用于解决该问题的技术,公开有在导电性触头的周围设置具有绝 缘性的管状部件的技术(例如,参照专利文献1及2)
专利文献1:日本特开2001-99889号公报
专利文献2:日本特开2005-49163号公报
然而,在上述的现有技术中,由于设置于导电性触头的周围的管部件 也按照具有高达数百微米左右的直径的方式进行细径化,故制造那样被细 径化的管部件本身也存在困难。另外,即使假设可以制造那样细径化的管 部件,但在管部件组装于支架基板时也可能会发生变形,从而难以说组装 的困难已经消除。
发明内容
本发明是鉴于上述问题而作出,其目的在于提供一种导电性触头支 架,其通过单纯且容易组装的结构而可以对应高频率信号,并且也可以对 应检查对象的高集成化及小型化。
为了解决上述课题并实现目的,本发明提供一种导电性触头支架,其 收容对电路构造进行信号的输入输出的信号用导电性触头和向所述电路 构造供应接地电位的接地用导电性触头,其特征在于,具备:绝缘性支架 部件,其由绝缘性材料形成,且具有第一贯通孔,所述信号用导电性触头 在大致全长上直接穿过该第一贯通孔;导电性块状部件,其由导电性材料 形成,且具有第二贯通孔,所述接地用导电性触头的一部分可接触地穿过 第二贯通孔。
另外,在上述发明的基础上,本发明的导电性触头支架的特征在于, 所述绝缘性支架部件具有在所述第一贯通孔的长度方向上层叠的第一及 第二支架部件,所述导电性块状部件位于第一支架部件和所述第二的支架 部件之间。
另外,在上述发明的基础上,本发明的导电性触头支架的特征在于, 所述导电性块状部件的一部分露出于该导电性触头支架的表面。
另外,在上述发明的基础上,本发明的导电性触头支架的特征在于, 还具备导电性中空块状部件,该导电性中空块状部件由导电性材料形成, 且具有一凹部,全长短于所述接地用导电性触头的第二接地用导电性触头 的端部插入该凹部,并且具有可以配置所述导电性块状部件的中空部,在 所述中空部配置有:所述导电性块状部件;所述绝缘性支架部件的所述第 一贯通孔形成部分的至少一部分。
另外,在上述发明的基础上,本发明的导电性触头支架的特征在于, 所述导电性中空块状部件的一部分露出于该导电性触头支架的表面。
另外,在上述发明的基础上,本发明的导电性触头支架的特征在于, 所述导电性块状部件具有让所述第二的接地用导电性触头的端部插入的 凹部。
另外,在上述发明的基础上,本发明的导电性触头支架的特征在于, 使用螺钉及粘接剂中的至少任意一方,将所述绝缘性支架部件和所述导电 性中空块状部件固定在一起。
根据本发明,通过具备绝缘性支架部件和导电性块状部件,该绝缘性 支架部件由绝缘性材料形成,且具有使对电路构造进行信号的输入输出的 信号用导电性触头在大致全长上直接穿过的第一贯通孔,该导电性块状部 件由导电性材料形成,且具有让所述接地用导电性触头的一部分可接触地 穿过的第二贯通孔,由此,能够提供通过单纯且容易组装的构成而可以对 应高周波信号,并且也可以对应检查对象的高集成化及小型化的导电性触 头支架。
附图说明
图1为表示本发明的一实施方式的导电性触头支架构成的分解立体 图。
图2为表示本发明的一实施方式的导电性触头支架主要部分的构成的 局部剖面图。
图3为图2的局部放大图。
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