[发明专利]用于集成DWDM发射器的方法和系统

权利要求书

1.一种集成DWDM发射器装置，所述装置包括：

支撑部件，所述支撑部件包括温度调整部件；

与所述支撑部件重叠的硅基二氧化硅基片，所述硅基二氧化硅基片包括二氧化硅层和硅层，所述硅基二氧化硅基片对应于基片表面，所述基片表面包括第一表面区域和第二表面区域，所述第一表面区域和所述第二表面区域不共面；

所述二氧化硅层中的光复用器，所述光复用器包括多个输入波导和至少一个输出波导；以及

与所述硅基二氧化硅基片的第一表面区域重叠的一个或多个半导体激光器阵列芯片，所述一个或多个激光器阵列芯片中的每一个包括两个或更多个激光器，所述两个或更多个激光器中的每一个光耦合到所述多个输入波导中对应的一个；

其中所述光复用器与所述硅层重叠，位于所述第二表面区域以下。

2.如权利要求1所述的装置，其中所述光复用器包括阵列波导光栅。

3.如权利要求1所述的装置，其中所述一个或多个半导体激光器阵列芯片中的每一个用倒装片方法安装在所述硅基二氧化硅基片的第一表面区域上。

4.如权利要求1所述的装置，其中所述一个或多个半导体激光器阵列芯片中的每一个包括两个或更多个InP激光器。

5.如权利要求1所述的装置，还包括多个微型加热器，所述微型加热器中的每一个与所述激光器之一相邻放置。

6.如权利要求1所述的装置，其中与所述一个或多个激光器阵列芯片中的每一个有关的两个或更多个激光器以大约0.3～0.5毫米的距离分隔开。

7.如权利要求1所述的装置，其中所述光复用器包括固有二氧化硅层中的掺杂二氧化硅波导。

8.如权利要求1所述的装置，其中所述两个或更多个激光器中的每一个与所述多个输入波导中所述对应的一个，它们之间的耦合的特征在于大约20度或更大的倾斜角。

9.如权利要求1所述的装置，其中所述两个或更多个激光器中的每一个与所述多个输入波导中所述对应的一个，它们之间的耦合包括特征为大约30微米或更小距离的间隙。

10.如权利要求1所述的装置，其中所述支撑部件还包括基台，所述基台包括包含金属或包含陶瓷的材料。

11.如权利要求1所述的装置，其中所述一个或多个半导体激光器阵列芯片中每一个芯片的特征在于该芯片在垂直于激光轴的方向上具有2毫米或更小的宽度。

12.如权利要求1所述的装置，其中所述一个或多个半导体激光器阵列芯片中每一个芯片的特征在于该芯片具有2毫米或更大的宽度，所述激光器阵列芯片中的每一个用低温焊接方法安装。

13.如权利要求1所述的装置，其中所述温度调整部件包括热电冷却器TEC，所述TEC能够在摄氏10度的范围内改变温度。

14.如权利要求1所述的装置，还包括：

光分析器，光耦合到所述输出波导，用于在所述输出波导处测量中心频率；以及

控制器，电耦合到所述光分析器和所述温度调整部件，用于利用与中心波长有关的信息调整所述温度调整部件的温度。

15.如权利要求1所述的装置，其中所述一个或多个半导体激光器阵列芯片中的每一个包括直接调制激光器。

16.如权利要求1所述的装置，其中所述一个或多个半导体激光器阵列芯片中的每一个包括分布式反馈DFB激光器。

17.如权利要求1所述的装置，其中所述一个或多个半导体激光器阵列芯片中的每一个包括具有电子吸收(EA)调制器的集成DFB激光器。

18.如权利要求1所述的装置，其中所述一个或多个半导体激光器阵列芯片中的每一个包括分布式布拉格光栅(DBR)激光器。

19.如权利要求1所述的装置，其中所述光复用器包括宽带N×1PLC波导合成器。

20.如权利要求19所述的装置，还包括掺铒光纤放大器(EDFA)或者掺铒波导放大器(EDWA)，用于补偿宽带合成器的过度损耗。