[发明专利]高密度数据存储和成像的方法有效
| 申请号: | 200780006026.5 | 申请日: | 2007-02-20 |
| 公开(公告)号: | CN101384644A | 公开(公告)日: | 2009-03-11 |
| 发明(设计)人: | J·L·海德里克;J·E·弗洛莫;J·温德恩;U·杜里格;V·Y-W·李;B·高茨曼;R·D·米勒;E·海格博格;T·麦格比唐;A·诺尔;R·C·普莱特;C·韦德 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
| 主分类号: | C08G73/12 | 分类号: | C08G73/12;G11B9/00 |
| 代理公司: | 北京市中咨律师事务所 | 代理人: | 林柏楠;刘金辉 |
| 地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 高密度 数据 存储 成像 方法 | ||
1.一种在树脂层中形成变形区域的方法,包括:
将探针加热到至少100℃;
将所述加热后的探针推入交联的聚酰亚胺低聚物的树脂层中;
从所述树脂层取出探针,从而在所述树脂层中形成变形区域;并且
其中所述聚酰亚胺低聚物具有以下结构:
其中R’选自:
其中R”选自:
其中n是5-50的整数,
其中所述聚酰亚胺低聚物含有与聚酰亚胺低聚物主链连接的反应性侧 基,并且在固化之后,所述树脂层被所述反应性侧基交联。
2.权利要求1的方法,其中所述聚酰亚胺低聚物的层包含反应性稀释 剂,所述反应性稀释剂选自:
其中R1、R2和R3各自独立地选自氢、烷基、芳基、环烷基、烷氧基、 芳氧基、烷基氨基、芳基氨基、烷基芳基氨基、芳基硫基、烷基硫基,和
其中所述聚酰亚胺低聚物是在固化期间被由所述反应性稀释剂衍生的 反应性稀释剂基团交联的。
3.权利要求2的方法,其中含有所述反应性稀释剂基团的所述树脂层 的玻璃化转变温度是在与没有所述反应性稀释剂基团时形成的其它相同树 脂层的玻璃化转变温度相差50℃的范围内。
4.一种在树脂层中形成变形区域的方法,包括:
将探针加热到至少100℃;
将所述加热后的探针推入交联的聚酰亚胺低聚物的树脂层中;
从所述树脂层取出探针,从而在所述树脂层中形成变形区域;
其中所述聚酰亚胺低聚物具有以下结构:
其中E是:
其中A1、A2、A3...AN各自独立地选自:
其中R1选自:
其中R2选自:
其中R3是:
其中N是大于或等于2的整数;
其中A1、A2、A3...AN中的至少一个是:
其中A1、A2、A3...AN中的至少一个是:
5.权利要求1的方法,其中在固化之后,所述树脂层被所述聚酰亚胺 低聚物的反应性端基交联。
6.权利要求1的方法,其中所述树脂层的玻璃化转变温度低于250℃。
7.权利要求1的方法,其中所述树脂层在高于其玻璃化转变温度时的 模量比所述树脂层在低于其玻璃化转变温度时的模量低1.5至3.0个十进 位。
8.权利要求1的方法,其中所述树脂层对于至少400℃是热和氧化稳 定的。
9.权利要求1的方法,进一步包括:
除去在所述变形区域中的所述树脂层,从而形成基材的暴露区域和受 所述树脂层保护的基材区域;和
对所述基材的暴露区域的至少一部分进行改性。
10.权利要求1的方法,进一步包括:
在加热和推入所述探针的同时沿着与所述树脂层上表面平行的方向拖 动所述探针,使得在所述树脂层中形成槽。
11.权利要求1的方法,其中所述交联树脂层具有10-500nm的厚度, 并且在所述交联树脂层中的厚度变化小于1.0nm。
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