[发明专利]光学低通滤波器无效
| 申请号: | 200780000115.9 | 申请日: | 2007-01-17 |
| 公开(公告)号: | CN101310197A | 公开(公告)日: | 2008-11-19 |
| 发明(设计)人: | 辻村一郎;能势正章;田中义治;久保直树 | 申请(专利权)人: | 索尼株式会社 |
| 主分类号: | G02B5/28 | 分类号: | G02B5/28;G02B27/46;H04N5/225 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 彭久云 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 光学 滤波器 | ||
1.一种光学低通滤波器,其特征在于包括:
基底材料;和
形成在所述基底材料的光进入表面侧的涂层,其中,
所述涂层包括依次交替设置在彼此上的高折射层和低折射层,用于反射或通过特定波长范围的光,且
至少所述高折射层之一由透明导电材料制成,以防止污垢和灰尘粘附到所述涂层,
其中所述涂层阻挡红外辐射,且对于形成在由所述透明导电材料制成的所述高折射层之外的折射层,总层厚是140nm或以下。
2.根据权利要求1的光学低通滤波器,其中由所述透明导电材料制成的高折射层的层厚在200到300nm范围内。
3.根据权利要求1的光学低通滤波器,其中在与透明导电材料制成的所述高折射层接触的基底材料侧面上的低折射层的层厚在140到220nm范围内。
4.根据权利要求1的光学低通滤波器,其中所述透明导电材料是氧化铟和氧化锡的混合物,且氧化铟的混合比例是90重量百分比或以上。
5.根据权利要求1的光学低通滤波器,其中最外侧的高折射层由所述透明导电材料制成。
6.根据权利要求1的光学低通滤波器,其中最外侧的所述低折射层构建为MgF2层和SiO2层两层的等同层,且MgF2层和SiO2层从外侧依次设置。
7.根据权利要求6的光学低通滤波器,其中所述MgF2层和SiO2层的层厚每个都在20到80nm范围内。
8.一种成像单元,其特征在于包括:
权利要求1到7中任何一个的光学低通滤波器,和
成像装置,其中所述光学低通滤波器的涂层连接到地电势。
9.一种成像装置,其特征在于包括权利要求8的成像单元。
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