[实用新型]充电低压保护电路

权利要求书

1.一种充电低压保护电路，其特征在于，所述充电低压保护电路包括：

分压器，其输入端连接至电源电压，用于接收输入电压，其输出端，连接至电压比较器的第一输入端，用于按照分压比向所述电压比较器提供电压；

阈值可变器，其输出端连接至所述电压比较器的第二输入端，用于向所述电压比较器提供阈值电压；

所述电压比较器，其输出端连接至反相器的输入端，用于对从所述分压器输入的电压和从所述阈值可变器输入的阈值电压进行比较，所述电压比较器用以在所述分压器输入的所述电压小于从所述阈值可变器输入的所述阈值电压时，输出第一信号；

反相器，其与电子开关的控制端连接，其输出端连接至所述阈值可变器的第一输入端，用于对所述第一信号进行反相以输出第二信号，从而使所述电子开关断开；以及

所述电子开关，其输入端连接至所述电源电压，其输出端连接至待充电装置，用于根据所述第二信号来切断与所述待充电装置的连接。

2.根据权利要求1所述的充电低压保护电路，其特征在于，还包括：

电流源，其输入端连接至所述电源电压，以及输出端连接至所述阈值可变器的第二输入端，用于保证所述阈值可变器在电压波动时输出的阈值电压稳定；以及

基准电压源，其输出端连接至所述阈值可变器的第三输入端，用于向所述阈值可变器提供恒定的基准电压。

3.根据权利要求2所述的充电低压保护电路，其特征在于，所述阈值可变器提供的所述阈值电压为低压限值电压或恢复工作限值电压，所述恢复工作限值电压为所述基准电压。

4.根据权利要求1所述的充电低压保护电路，其特征在于，所述电压比较器的第一输入端为负端，所述电压比较器的第二输入端为正端。

5.根据权利要求1所述的充电低压保护电路，其特征在于，所述电压比较器用以在所述分压器输入的所述电压大于从所述阈值可变器输入的所述阈值电压时，输出所述第二信号。

6.根据权利要求5所述的充电低压保护电路，其特征在于，所述第一信号为高电平，所述第二信号为低电平。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的充电低压保护电路，其特征在于，所述分压器包含两个或两个以上串联连接的电阻。

8.根据权利要求2或3所述的充电低压保护电路，其特征在于，所述阈值可变器包括：

第一PMOS管，其源极连接至所述电流源的所述输出端，

栅极连接至所述基准电压源，以及漏极连接至第一NMOS管的漏极；

所述第一NMOS管，其漏极连接至所述第一PMOS管的漏极，源极接地，以及所述第一NMOS管的栅极与漏极相连；

第二NMOS管，其栅极连接至所述第一NMOS管的栅极，以及源极接地；

第三NMOS管，其源极连接至所述第二NMOS管的漏极，栅极连接至所述反相器的输出端；

第一电阻，与第二电阻串联，并且其另一端连接至所述基准电压源；以及

第二电阻，与所述第一电阻串联，以及其另一端接至所述第三NMOS管的漏极，其中，所述第一电阻和所述第二电阻相连的一端连接至所述电压比较器的第二输入端。

9.根据权利要求8所述的充电低压保护电路，其特征在于，所述反相器包括：

第二PMOS管，其源极连接至所述电源电压；以及

第四NMOS管，其漏极连接至所述第二PMOS管的漏极和所述第三NMOS管的栅极，栅极连接至所述第二PMOS管的栅极，以及源极接地。

10.根据权利要求9所述的充电低压保护电路，其特征在于，所述电子开关包括第五NMOS管，其漏极连接至所述电源电压，栅极连接至所述第四NMOS管的漏极，以及源极连接至所述待充电装置。

11.根据权利要求9所述的充电低压保护电路，其特征在于，所述电子开关包括第三PMOS管，其源极连接至所述电源电压，栅极连接至所述第四NMOS管的栅极，以及漏极连接至所述待充电装置。

12.一种手持终端，其特征在于，包括权利要求1至11中任一项所述的充电低压保护电路。