[实用新型]高密度高屏蔽连接器公座插头有效

专利信息
申请号: 200720171918.8 申请日: 2007-09-21
公开(公告)号: CN201112818Y 公开(公告)日: 2008-09-10
发明(设计)人: 郭小松 申请(专利权)人: 安费诺东亚电子科技(深圳)有限公司
主分类号: H01R13/46 分类号: H01R13/46;H01R13/426
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518132广东省深圳市宝安区公*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 高密度 屏蔽 连接器 插头
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及一种连接器装置,具体地说是一种用于计算机和通讯类设备传输电信号和控制信号以及用于数据通信的高密度高屏蔽的连接器公座插头。

背景技术

随着科技的发展,电子产品越来越多地应用于人类工作与生活的各个方面,在各类电子产品中,离不开连接器的使用,在计算机和通讯类设备中经常要用到用于传输电信号和控制信号以及用于数据通信的连接器,此类连接器通常由一个插座(母座)和一个插头(公座)构成,插座通常是设有一个插槽,并于插槽的两侧设有复数个的端子(两排均匀布置的弹性金属片),插头则包括一个凸出的插块(亦可称为端子座),并于插块的两侧设有复数个的端子(两排均匀布置的弹性金属片),插头插入插座内(插块插入插槽中),通过弹性金属片的弹性达到良性接触,并起到两者的固定作用。为了达到屏蔽的效果,在插座和插头的外围均设有接地的EMI外壳。但一直以来,这类连接器存在这些缺点:

1.体积大,导致占用很大的空间,从而影响到整机设备的结构微型化;

2.因为现有的此类连接器抗干扰能力较差,无法满足高速传输的需要;

3.习用的连接器均为单个插槽对单个插块,其连接的端子数量十分有限。

为此,一种新型的连接器,它能实现更多端子同时传输信号并具有良好抗干扰能力,可用于高速传输的连接器有待于开发出来。

实用新型内容

本实用新型的目的在于为克服现有技术的不足而提供一种高密度高屏蔽连接器公座插头。

本实用新型的技术解决方案为:一种高密度高屏蔽连接器公座插头,包括端子座,包覆于端子座外面的EMI外壳,和用于容置并固定端子座、固定EMI外壳的壳体;所述的端子座上设有复数个端子,端子与线缆联接,所述的壳体设有用于穿过线缆的线孔;所述的端子座包括上半部和下半部,所述的端子座上半部和端子座下半部为可拆式联接,并各设有两排端子,所述端子座上半部与端子座下半部之间于端子接线端的相邻处设有一绝缘片,所述的绝缘片内设有一导电薄片,所述导电薄片的两端与EMI外壳电性联接。

本实用新型的进一步技术解决方案为:所述端子座下半部设有复数个凸状体,所述的端子座上半部设有复数个凹状体,所述的凸状体和凹状体嵌合在一起,构成前述端子座上半部和端子座下半部的可拆式联接。

本实用新型的进一步技术解决方案为:所述的导电薄片的两端突出于绝缘片并与EMI外壳联接,所述的绝缘片中间设复数个定位孔,所述的端子座下半部设有复数个与前述定位孔相对应的定位凸块。

本实用新型的进一步技术解决方案为:所述的壳体包括下壳本体和与下壳本体联接的上盖,下壳本体和上盖的一侧均设有用于构成线孔的缺口,所述的下壳本体于缺口邻近处联接有用于固定线缆的卡环,所述的卡环与下壳本体螺纹联接,下壳本体还设有用于固定EMI外壳的卡槽和用于固定端子座的凸壁;所述的上盖于也设有用于固定EMI外壳的卡槽。

本实用新型的进一步技术解决方案为:所述的壳体为金属壳体,所述的导电薄片与金属壳体联接,构成前述的导电薄片的两端与EMI外壳电性联接;所述的上壳本体于端子与线缆联接部位的对应处设有绝缘条,所述的上盖于端子与线缆联接部位的对应处设有绝缘条。

本实用新型的进一步技术解决方案为:所述端子的接线一端为用于容置线缆线头的“U”形的槽形截面结构,槽的两个内侧沿轴向位置设有一对或复数对的棱边,相对棱边的间隙小于线缆的导线直径。

本实用新型的进一步技术解决方案为:EMI外壳的截面形状为梯形,EMI外壳的外围设有与下壳本体和上盖的卡槽配合的凸边;所述的下壳本体的外侧设有一备用固定孔。

与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:本实用新型因端子座设有上半部和下半部,并于各半部均有二排端子,使端子数量增加至二倍,提高了连接器之联接线的密度;另因于上、下半部之间设有带导电薄片的绝缘片,起到屏蔽作用,使本实用新型能进行高速传输数据,端子座上、下半部之间采用可拆式联接,便于安装和维护,提高了调试设备的灵活性,有效地节省了安装时间和物料,提高了空间利用率。

下面结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步描述。

附图说明

图1是本实用新型高密度高屏蔽连接器公座插头具体实施例立体结构图;

图2是本实用新型高密度高屏蔽连接器公座插头具体实施例结构分解图;

图3是端子座上半部的立体结构放大图;

图4是端子座上半部的另一立体结构放大图;

图5是端子座下半部的立体结构放大图;

图6是端子立体结构放大图;

图7为绝缘片立体结构图;

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