[实用新型]校正电路的高压变频器有效

专利信息
申请号: 200720148110.8 申请日: 2007-06-01
公开(公告)号: CN201054546Y 公开(公告)日: 2008-04-30
发明(设计)人: 李志宏 申请(专利权)人: 李志宏
主分类号: H02M5/44 分类号: H02M5/44;H02M5/458;H02M1/12;H02M1/42
代理公司: 北京联合汇丰知识产权代理有限公司 代理人: 刘兰英
地址: 154000黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要:
搜索关键词: 校正 电路 高压 变频器
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及一种高压变频器,尤其涉及一种校正电路的高压变频器。

背景技术

目前市场上采用的高压变频器技术有:1、低压单相变频器串联弥补功率器件耐力能力不足的问题,但是存在着装置体积太大,重量大,不能实现能量回馈和制动;2、中性点钳位三电平PWM变频器避免了器件串联引起的静态和动态均压问题,降低输出谐波dv/dt的影响,结构简单,但是二极管增多,线路增多,导致钳位和开关性能的不一致、不稳定、易损害电动机;3、功率器件直接串联电流源型高压变频器,这一现有技术虽然功率器件少,易于控制电流,但没有真正解决高压功率器件的串联问题,存在对电网污染严重,功率因数低的问题。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是提供一种校正电路的高压变频器,对谐波及功率因数要求高的场合,解决了动静态均压、均流、同步开关断的问题。

对于本实用新型校正电路的高压变频器上述技术问题是这样实现的:校正电路的高压变频器,包括整流电路、校正电路、滤波电路和逆变电路,其特征在于:所述校正电路是功率元件IGBT5、IGBT6、IGBT7、IGBT8串联连接,其IGBT5、IGBT6、IGBT7和IGBT8对应并联二极管D5、二极管D6、二极管D7、二极管D8;所述校正电路后边并联所述滤波电路,其所述滤波电路是RC电路结构;所述滤波电路后边并联所述逆变电路,其所述逆变电路为功率元件IGBT1、IGBT2、IGBT3和IGBT4串联连接,IGBT1、IGBT2、IGBT3和IGBT4对应并联二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4。

本实用新型的有益效果是:采用校正电路的技术,解决了动静态均压、均流、同步开关断的问题,是无输入、输出变压器的高压变频器成为实现,减少了变频器的体积和重量,使变频器的性能和效率得以提高。

附图说明

图1是本实用新型的原理图。

具体实施方式

结合附图对本实用型校正电路的高压变频器具体实施方式作进一步说明:

如图1所示,校正电路的高压变频器,包括高压断路器、整流电路、校正电路、滤波电路和逆变电路,其中a相校正电路是功率元件IGBT5、IGBT6、IGBT7、IGBT8串联连接,其IGBT5、IGBT6、IGBT7和IGBT8对应并联二极管D5、二极管D6、二极管D7、二极管D8;所述校正电路后边并联所述滤波电路,a相所述滤波电路是RC电路结构,由电阻R1并联电容C1、电阻R2并联电容C2后两部分电路串联连,再并联所述逆变电路,其a项所述逆变电路为功率元件IGBT1、IGBT2、IGBT3和IGBT4串联连接,IGBT1、IGBT2、IGBT3和IGBT4对应并联二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4。其中b相、c相和a相电路结构相同,此处不再陈述。

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