[实用新型]油压传感器无效

专利信息
申请号: 200720116252.6 申请日: 2007-05-23
公开(公告)号: CN201047790Y 公开(公告)日: 2008-04-16
发明(设计)人: 王军;王金文 申请(专利权)人: 哈尔滨市东北汽车电子工程技术研究开发中心
主分类号: G01L9/08 分类号: G01L9/08
代理公司: 哈尔滨市哈科专利事务所有限责任公司 代理人: 刘娅
地址: 150001黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要:
搜索关键词: 油压 传感器
【说明书】:

(一)技术领域

本实用新型涉及传感器技术,具体涉及一种油压传感器。

(二)背景技术

油压传感器是柴油发动机和汽油发动机中的一个重要环节,汽车自动变速箱主动锥、从动锥压力测量,以及发动机液体、气体压力控制等均需要油压传感器。而目前油压传感器大多是采用传统扩散硅压阻式传感器,由于其存在P-N隔离结,因而高低温重复特性和高低温稳定性不好,同时不能调整偏移量、灵敏度值以及偏移量温度系数、灵敏度温度系数,使传感器在一定工作温度范围内不能获得较好的补偿,精度低,不能满足人们的需求。

(三)发明内容

本实用新型的目的在于提供一种具有良好的高低温重复特性和高低温稳定性,成本低、精度高、适于大批量生产,应用于汽车自动变速箱主动锥、从动锥压力测量,以及发动机液体、气体压力控制的油压传感器。

本实用新型的目的是这样实现的:它包括压力传感器、信号调理电路板、转接板、接嘴和壳体,转接板设置在壳体内上方,转接板的输出与壳体上的电气插针连接,信号调理电路板和压力传感器设置在壳体内下方,信号调理电路板上布设有放大电路、温度补偿电路和非线性补偿电路,放大电路连接压力传感器,温度补偿电路和非线性补偿电路连接放大电路,信号调理电路板的输出与转接板相连。

本实用新型还有这样一些结构特征:

1、所述的压力传感器为SOI结构的硅微压阻式压力传感器,注入的电阻与硅衬底之间设置有SiO2隔离层;

2、所述的压力传感器包括管壳、设置在管壳内上部的转接端子和设置在管壳内下部的压力敏感芯片,管壳内充有硅油,转接端子通过玻璃封装固定,压力敏感芯片下方设置有波纹膜片,波纹膜片通过连接部件与测压器件连接,压力敏感芯片与转接端子连接;

3、所述的压力传感器通过设置在内部的转接端子与信号调理电路相连。

本实用新型传感器中的敏感芯体压力传感器采用SOI结构,由于SOI结构的压阻式传感器的桥路电阻之间完全分开,而且注入的电阻与硅衬底之间有一层SiO2隔离,去除了传统扩散硅压阻式传感器中的P-N隔离结,因而具有良好的高低温重复特性和高低温稳定性。另外,本实用新型的敏感芯体采用二次储能焊,一次为注油孔,一次为敏感芯体与接头。硅微压阻式压力传感器膜片处采用氩弧焊接。传感器信号调理电路采用专用电路,该电路具有放大、温度补偿、非线性补偿等功能,能够灵活的调整偏移量、灵敏度值以及偏移量温度系数、灵敏度温度系数,使传感器在-40~125℃工作温度范围内获得较好的补偿。本实用新型具有良好的高低温重复特性和高低温稳定性,成本低、精度高、适于大批量生产,可应用于汽车、工业控制、自动化等相关工、农业领域。

(四)附图说明

图1为本实用新型的结构示意图。

(五)具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步的说明:

结合附图,本实施例包括压力传感器1、信号调理电路板2、转接板4、接嘴5和壳体6,转接板4设置在壳体6内上方,转接板4的输出与壳体6上的电气插针连接,信号调理电路板2和压力传感器1设置在壳体6内下方,信号调理电路板2上布设有放大电路、温度补偿电路和非线性补偿电路,放大电路连接压力传感器,温度补偿电路和非线性补偿电路连接放大电路,信号调理电路板2的输出与转接板4相连。压力传感器1为SOI结构的硅微压阻式压力传感器,包括管壳、设置在管壳内上部的转接端子和设置在管壳内下部的压力敏感芯片,管壳内充有硅油,转接端子通过玻璃封装固定,压力敏感芯片下方设置有波纹膜片,波纹膜片通过连接部件与测压器件连接,压力敏感芯片与转接端子连接。压力传感器1以半导体单晶硅为主体材料形成弹性层,也作为力—电的转换元件,压力传感器1中弹性元件波纹膜片是用微机械加工的办法将单晶硅刻蚀成一个周边固支的圆形、矩形或双岛结构等的弹性膜片,在膜片上制作与流体压强成正比变化的应变电阻器作为将压力信号转换成电信号的转换元件,再经电路放大、调理,输出系统所需要的信号或在仪表上进行显示,同时,压力传感器1采用二次储能焊3,一次为注油孔,一次为敏感芯体压力传感器1与接头。本实施例可用于汽车自动变速箱主动锥、从动锥压力测量,以及发动机液体、气体压力控制等。

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