[实用新型]应用于SCDMA基站中的声表面波中频滤波器无效
| 申请号: | 200720103171.2 | 申请日: | 2007-01-11 |
| 公开(公告)号: | CN201008151Y | 公开(公告)日: | 2008-01-16 |
| 发明(设计)人: | 何世堂;李红浪;徐方迁 | 申请(专利权)人: | 中国科学院声学研究所 |
| 主分类号: | H04B1/40 | 分类号: | H04B1/40;H04B1/707;H04B7/26 |
| 代理公司: | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 高存秀 |
| 地址: | 100080北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 应用于 scdma 基站 中的 表面波 中频 滤波器 | ||
技术领域
本实用新型属于通信用电子元器件领域,具体地说,本实用新型涉及一种应用于SCDMA(同步多址接入技术)基站中的低插入损耗声表面波中频滤波器。
背景技术
声表面波中频滤波器具有体积小、较小的矩形系数、低插入损耗和高带阻等特性,因此适用于SCDMA基站的中频滤波。
本实用新型的目的提出一种采用ST石英基片所组成的SCDMA基站用中频声表面波滤波器,它可以在实现插入损耗小于10dB的同时,达到矩形系数(20dB带宽与3dB带宽的比值)小于2,满足了SCDMA基站的要求,从而解决了现有技术存在的问题。
发明内容
本实用新型的目的是克服现有技术的不足,提出一种能够实现插入损耗小于10dB的同时,达到矩形系数(20dB带宽与3dB带宽的比值)小于2的声表面波滤波器,从而满足SCDMA基站的要求。
为实现上述发明目的,本实用新型提供的应用于SCDMA基站中的声表面波中频滤波器,制作在ST石英基片上,其特征在于,由两个单相单向换能器,以及位于所述两个单相单向换能器之间的中间屏蔽条组成;其中,输入单相单向换能器的长度为124λ,输出单相单向换能器的长度为450λ;所述输入和输出单相单向换能器的反射栅条的宽度是λ/4,反射栅条的中心与相邻指条中心间隔为3λ/8,换能器指条宽度为λ/8;其中λ为中心频率对应的波长。
上述技术方案中,所述输入单相单向换能器的反射栅条数量为90根,输出单相单向换能器的反射栅条数量为118根。
上述技术方案中,所述输入和输出单相单向换能器的栅条金属膜的厚度在1400~1600之间,所述栅条金属膜的厚度与波长λ的比值在0.0051~0.058之间。
上述技术方案中,所述输入单相单向换能器的加权方式采用不加权,输出单相单向换能器的加权方式采用抽指加权;所述输入和输出单相单向换能器的反射栅阵的加权方式均采用抽指加权。
本实用新型的优点在于:(1)基片采用ST石英,温度稳定性好,适合窄带滤波器。(2)由于单根反射栅的反射强度随反射栅条厚度增加而增加,所以在换能器较长的情况下,可以通过控制反射栅条金属膜的厚度来控制器件插入损耗,使得插入损耗可以达到10dB。
附图说明
图1是本实用新型的应用于SCDMA基站中的声表面波中频滤波器的安装结构示意图。
图2是本实用新型的应用于SCDMA基站中的声表面波中频滤波器的结构示意图。
图3是图2实施例的幅频响应图。
图4是图2实施例的群时延频响图。
具体实施方式
下面结合附图和优选实施例,对本实用新型作进一步地描述。
实施例1
图1是本实用新型的应用于SCDMA基站中的声表面波中频滤波器的安装结构示意图。声表面波中频滤波器1粘贴在金属管座底面2上,输入与输出电极的一端通过引线3分别与两个管脚4相连,输入与输出的另一端通过引线3分别与金属管座底面2相连。所述输入、输出电极的引出位置可参见图2。
图2是本实用新型的应用于SCDMA基站中的声表面波中频滤波器的结构示意图。该声表面波中频滤波器由制作在ST石英基片5上的两个单相单向换能器6、8,以及中间屏蔽条7组成。换能器6采用不加权,换能器8采用抽指加权。反射栅阵加权均采用抽指加权。反射栅条9的宽度是λ/4(λ为中心频率对应的波长),反射栅条的中心与相邻指条中心间隔为3λ/8,换能器指条(包括换能指条、无换能或无反射的填充指条)宽度为λ/8。为了获得窄带滤波器的幅度响应,两个单相单向换能器的长度不相等,分别为124λ和450λ,反射栅条数量分别为90根和118根。为了达到相对低的插入损耗,当反射栅条数目大的时候,取适当的相对膜厚h/λ,从而获得较大的总反射系数(总反射强度:κ12与换能器总栅条数目的乘积,其值接近1时能量泄漏小)。本实施例中的栅条金属膜厚h为1500,相对膜厚h/λ为0.0054。本实用新型中,栅条金属膜厚h可以取1400~1600,即相对膜厚h/λ取0.0051~0.0058。其中,1=10-10m。
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