[实用新型]宽温高稳定度石英晶体时钟振荡器无效
申请号: | 200720086187.7 | 申请日: | 2007-07-27 |
公开(公告)号: | CN201113922Y | 公开(公告)日: | 2008-09-10 |
发明(设计)人: | 朱宇明;张文捷;毛晶;魏胜军;梁望仙;沈霞 | 申请(专利权)人: | 武汉海创电子股份有限公司 |
主分类号: | H03B5/32 | 分类号: | H03B5/32 |
代理公司: | 武汉开元专利代理有限责任公司 | 代理人: | 陈家安 |
地址: | 430010湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 宽温高 稳定 石英 晶体 时钟 振荡器 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种宽温高稳定度石英晶体时钟振荡器。该石英晶体振荡器应用于航天电子设备中。
背景技术
目前的石英晶体时钟振荡器在通信领域应用非常的广泛,但由于时钟晶体的温度特性主要由所用的石英晶体谐振器或石英晶片的温度特性决定,所以在宽温范围内,其温度特性比较差。另外,目前国内的石英晶体时钟振荡器选用的振荡IC大都是进口材料(一般工作温度范围为-40℃~80℃),而宽温范围(如:-55℃~125℃)使用的振荡IC国外都对国内禁运,因此造成目前国内能应用于宽温范围的石英晶体时钟振荡器紧缺,产品的各项性能达不到航天电子设备要求。
发明内容
本实用新型的目的在于克服上述技术的不足之处,提供一种宽温高稳定度石英晶体时钟振荡器,该振荡器工作温度范围宽,温度特性好,且可靠性高。
为了实现上述目的,本实用新型采用以下技术方案:宽温高稳定度石英晶体时钟振荡器,它包括石英晶体谐振器1、振荡电路2,其特征在于它还包括补偿电路3,所述石英晶体谐振器1的一端通过补偿电路3与振荡电路2连接,另一端直接与振荡电路2连接,所述振荡电路2为陶瓷密封CMOS集成电路。
在上述技术方案中,所述石英晶体谐荡器1为SMD5032型谐振器。
在上述技术方案中,所述补偿电路3由电容C和热敏电阻RT串联而成。
在上述技术方案中,所述SMD5032型谐振器内的石英晶片为AT切石英晶片。
本实用新型宽温高稳定度石英晶体时钟振荡器具有如下优点:①.振荡电路为陶瓷密封CMOS集成电路,石英晶体谐荡器为SMD5032型谐振器,因此体积小;②.采用陶瓷密封CMOS集成电路,使产品工作温度范围宽(-55℃~125℃);③.由于采用补偿电路,温度特性好(在工作温度范围内(-55℃~125℃)可以达到±65ppm);产品可靠性高。
附图说明
图1本实用新型宽温高稳定度石英晶体时钟振荡器的结构框图。
图2本实用新型振荡电路的原理图(现有技术)。
图3本实用新型补偿电路的结构图。
图4为晶体谐振器频率温度特性图。
具体实施方式
下面结合附图详细说明本实用新型宽温高稳定度石英晶体时钟振荡器的实施情况,但它们并不构成对本实用新型的限定。同时通过说明本实用新型的优点将变得更加清楚和容易理解。
参阅附图可知:本实用新型宽温高稳定度石英晶体时钟振荡器,它包括石英晶体谐振器1、振荡电路2、补偿电路3,所述石英振荡器1的一端通过补偿电路3与振荡电路2(如图2所示)连接,另一端直接与振荡电路2连接,所述振荡电路2为陶瓷密封CMOS集成电路(如图1)。石英晶体谐振器1为SMD5032型谐振器,补偿电路3由电容C和热敏电阻RT串联而成(如图3所示)。SMD5032型谐振器内的石英晶片为AT切石英晶片。
以SMD5032型晶体谐振器为振子,其抗振性能高,且直接用此种晶体取代普通晶振中的晶片,可改善本产品的老化性能,使产品可靠性和稳定性得到进一步保障,并可减少产品的体积。为保障钟振的温度特性,选用的晶体谐振器采用具有良好频率温度特性的AT切石英晶片,其频率温度曲线为三次曲线,其特性方程为:
Δf/f=a0(T-T0)+b0(T-T0)2+c0(T-T0)3……(1)
式中a0、b0、c0分别为一级、二级、三级温度系数,T0为参考温度(25℃),可满足该产品的温度频差的要求。
针对晶体在85℃~125℃其频率呈急剧上升的特点,设计了串联电容和热敏电阻补偿电路对晶体高温段进行频率温度特性补偿,减小频率变化量,使产品的稳定度优于设计要求。晶体在-55℃~125℃的温度-频率特性达到±65ppm(如图4所示)。
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