[实用新型]硬盘电源控制电路无效

专利信息
申请号: 200720066638.0 申请日: 2007-01-25
公开(公告)号: CN201004206Y 公开(公告)日: 2008-01-09
发明(设计)人: 陈志龙 申请(专利权)人: 环达电脑(上海)有限公司
主分类号: G06F1/26 分类号: G06F1/26
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 200436上*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 硬盘 电源 控制电路
【说明书】:

【技术领域】

本实用新型有关一种控制为硬盘提供电源,尤其是一种由可编程器件和脉冲信号共同控制硬盘运行状态的硬盘电源控制电路。

【背景技术】

在台式计算机中,SATA(Serial Advanced Technology Attachment)硬盘一般都是直接从供电电源中直接获得能量,因此无法通过控制供电电源而控制SATA硬盘的运行状态。但是在有限的空间以及一些特定机台中SATA硬盘的电源来源于主板或者与主板相连的接口卡上,就想到控制SATA硬盘的运行状态,从而达到在不毁坏SATA硬盘的情况下任意的插拔该SATA硬盘。

鉴于上述,有必要开发一种硬盘电源控制电路,用以控制SATA硬盘的运行状态,即插即拔该硬盘。

发明内容】

因此,本实用新型的目的即提供一种硬盘电源控制电路,用以控制SATA硬盘的运行状态。

为达成上述目的,本实用新型提供一种硬盘电源控制电路,耦合于一南桥或者其它可编程器件与一硬盘电源连接器之间,用以控制与该硬盘电源连接器耦合的硬盘的运行状态,该电路包括一受控单元,该受控单元的输入端耦接上述南桥或者其它可编程器件以及脉冲信号,输出端耦合二三极管基极,该二三极管的发射极接地,集电极分别耦接第二、第三正电压源,且该二集电极还分别耦合一P-MOS场效应管的栅极,该二P-MOS场效应管的源极分别连接上述第二、第三正电压源,漏极分别耦合上述硬盘电源连接器的第一、第二接口,且该漏极与该源极之间耦合一电阻。

与现有技术相比,该电路集成于主板或者与主板相连的接口卡上,利用可编程器件的输出以及使用者可自行控制的脉冲信号共同控制SATA硬盘的运行状态,实现即插即拔该硬盘的目的;另,该可编程器件还可引出多个信号控制相应SATA硬盘,兼容性好。

【附图说明】

图1为本实用新型的硬盘电源控制电路的电路图。

【具体实施方式】

参阅图1,为本实用新型的硬盘电源控制电路的电路图,该电路集成于主板或者与主板相连的接口卡上,耦合于一南桥或者其它可编程器件(未示)与一硬盘电源连接器2之间,用以控制耦合于该硬盘电源连接器2输出端的硬盘运行状态,该电路包括一受控单元,该受控单元的输入端耦接上述南桥或者其它可编程器件以及使用者选择激活或关闭硬盘时机的脉冲信号,输出端耦合三极管基极,以控制一SATA硬盘为例进行说明,该受控单元为一上升沿D触发器1,详言之,该上升沿D触发器1的数据输入端11、时钟脉冲端12耦接来源于南桥或者其它可编程器件的信号GPO1、GPO3_BLINK,其中,该时钟脉冲端12还耦合一电阻R2接地,清零端13耦合复位信号RST(脉冲信号),预置端14串联一电阻R1接第一正电压源Vcc1(+5V),输出端15通过串联一基极直流偏置电阻R3分别连接二NPN型三极管Q1、Q2的基极,且该二基极还分别引出一滤波电容C接地,该二三极管Q1、Q2的发射极接地,集电极分别串联集电极直流偏置电阻R4、R7耦接第二、第三正电压源Vcc2、Vcc3,本实施例中,该第二、三正电压源Vcc2、Vcc3的电压值分别为+12V、+5V,且该二集电极与该二集电极直流偏置电阻R4、R7的连接节点分别定义为I、II,该二节点I、II分别引出电阻R5、R8一端,该电阻R5、R8另一端分别耦合电容C1、C2接地,且该电阻R5、R8该端还分别耦合P沟道MOS场效应管U1、U2的栅极,该二P-MOS场效应管U1、U2的源极分别连接上述第二、第三正电压源Vcc2、Vcc3,且该源极还引出电解电容C3、C4正极,该电解电容C3、C4负极接地,该二P-MOS场效应管U1、U2的漏极分别耦合硬盘电源连接器2的第一、第二接口21、22,其中P-MOS场效应管U2的漏极还耦合发光二极管3正极,该发光二极管3负极串联一电阻R10接地,且该二P-MOS场效应管U1、U2的漏极与该源极分别耦合电阻R6、R7,且本实施例中为防止过流损坏场效应管,该二P-MOS场效应管U1、U2皆为8管脚P沟道耗尽型场效应管,其中,三源极管脚分别连接第二、第三正电压源Vcc2、Vcc3,四漏极管脚分别连接硬盘电源连接器2的第一、第二接口21、22。

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