[实用新型]环氧硼胺聚酯薄膜少胶粉云母带有效
申请号: | 200720042405.7 | 申请日: | 2007-10-23 |
公开(公告)号: | CN201111970Y | 公开(公告)日: | 2008-09-10 |
发明(设计)人: | 沈伟;陆春;朱颐 | 申请(专利权)人: | 苏州巨峰绝缘材料有限公司 |
主分类号: | H01B3/04 | 分类号: | H01B3/04;H01B3/42;B32B5/00;B32B7/12 |
代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 范晴 |
地址: | 215214*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 环氧硼胺 聚酯 薄膜 少胶粉 云母 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种环氧硼胺聚酯薄膜少胶粉云母带,属于F级(155℃)电磁线绕包绝缘技术领域。
背景技术
随着电气绝缘技术的发展,对绝缘材料的要求越来越高,性能单一的材料很难满足高性能电气产品设计要求。复合材料就是由两种或两种以上不同性能、不同形态的组分材料通过复合手段组合而成的一种多相材料。复合材料与传统材料相比,显著特点就是具有可设计性。复合材料的机械、耐热、介电等多种性能都可按产品的使用要求,通过组分材料的选择和匹配以及界面粘合等手段,最大限度达到预期目的。目前电气绝缘用粉云母带采用结构为两层或三层结构,各层材料的种类根据使用要求而有所不同。由于采用不同的材料组合和材料厚度,将获得耐热等级、物理机械性能和电气性能各异的粉云母带复合材料制品。
电磁线绕包绝缘结构的采用的绝缘材料通常有电工用聚酯薄膜、聚酰亚胺薄膜、单面聚酯薄膜补强或玻璃布补强少胶粉云母带。现有技术不足之处在于仅用聚酯薄膜绕包,耐热等级低(B级130℃),耐电晕性能差;单面聚酯薄膜补强或单面玻璃布补强少胶粉云母带,由于粉云母纸裸露在带盘表面,云母纸质地疏松,抗撕裂和穿刺性差,在使用过程容易破损,影响电气绝缘性能。EW型电工无碱玻璃布和聚酰亚胺薄膜,综合性能优良,但价格昂贵。
发明内容
本实用新型目的是:提供一种环氧硼胺聚酯薄膜少胶粉云母带,采用电气性能优良、吸湿性低、价格低廉的聚酯薄膜(PET薄膜)上下两层作为少胶粉云母带的补强材料,以507非煅烧型粉云母纸为中间层,层与层之间用F级酚醛环氧硼胺胶粘剂粘合,有效地保护粉云母纸在使用过程中不受破损,提高了绕包绝缘的电气强度和耐电晕性能。
本实用新型的技术方案是:一种环氧硼胺聚酯薄膜少胶粉云母带,包括云母纸,云母纸的上表面和下表面分别经胶粘剂复合有电工用聚酯薄膜;
上述云母纸为507非煅烧型粉云母纸,厚度0.04mm,定量70±6g/m2;
上述胶粘剂为F级酚醛环氧硼胺胶粘剂,胶粘剂中潜伏性固化剂为594硼胺固化剂,当少胶粉云母带总厚度为0.08±0.02mm、0.10±0.02mm规格时,胶粘剂含量为粉云母带总质量的3-9%。
本实用新型优点是:本实用新型公开了一种由酚醛环氧硼胺胶粘合507非煅烧型云母纸,双面以电工用聚酯薄膜为补强材料的少胶粉云母带,复合结构合理,各个材料性能优势互补,与现有技术相比,电气绝缘性能优良,保证了云母绝缘层布受外力破坏,电气绝缘性能优良,耐电晕性能良好,适用于F级(155℃)电磁线绕包绝缘结构。
附图说明
下面结合附图及实施例对本实用新型作进一步描述:
图1为本实用新型的结构示意图。
其中:1云母纸;2电工用聚酯薄膜。
具体实施方式
实施例:如图1所示,一种环氧硼胺聚酯薄膜少胶粉云母带,包括云母纸1,云母纸1的上表面和下表面分别经胶粘剂复合有电工用聚酯薄膜2。
上述云母纸1为507非煅烧型粉云母纸,厚度0.04mm,定量70±6g/m2。
上述胶粘剂为F级酚醛环氧硼胺胶粘剂,胶粘剂中潜伏性固化剂为594硼胺固化剂,当少胶粉云母带总厚度为0.08±0.02mm、0.10±0.02mm规格时,胶粘剂含量为粉云母带总质量的3-9%。
本实用新型的制造过程如下:实施生产过程与普通环氧玻璃少胶粉云母带基本相同,包括以下步骤:分别将下层0.019mm(或0.015mm)电工用聚酯薄膜2,上层0.015mm电工用聚酯薄膜2单面涂酚醛环氧硼胺胶后,与0.04mm 507非煅烧型粉云母纸1通过复合辊粘合在一起,形成上下层为聚酯薄膜2,中间为粉云母纸1的三层复合结构,进入复合机烘道,烘焙温度为130-150℃,除去溶剂,经收卷,分切而成带状材料。
附技术指标:
本实用新型采用电气性能优良、吸湿性低、价格低廉的聚酯薄膜2(PET薄膜)上下两层作为少胶粉云母带的补强材料,以507非煅烧型粉云母纸1为中间层,层与层之间用F级酚醛环氧硼胺胶粘剂粘合,有效地保护粉云母纸在使用过程中不受破损,提高了绕包绝缘的电气强度和耐电晕性能。
以上仅是本实用新型的具体应用范例,对本实用新型的保护范围不构成任何限制。除上述实施例外,本实用新型还可以有其它实施方式。凡采用等同替换或等效变换形成的技术方案,均落在本实用新型所要求保护的范围之内。
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