[发明专利]压控震荡器

权利要求书

1.一种压控震荡器，包含：

一电感电容槽(LC Tank)电路，用来提供一电感值与一电容值；

一交叉耦合对电路，耦接至该电感电容槽电路，具有以交叉耦合方式相耦接的一第一晶体管与一第二晶体管；以及

一转导调整电路，耦接至该交叉耦合对电路，用来依据一第一控制信号以调整该压控震荡器的一转导值，该转导调整电路包含：

一第三晶体管，耦接至该第一晶体管与一第一开关单元；及

一第四晶体管，耦接至该第二晶体管与该第一开关单元；

其中，该第一控制信号控制该第一开关单元，控制是否将该第一开关单元导通，使得该第三晶体管实质上并联于该第一晶体管，该第四晶体管实质上并联于该第二晶体管，以调整该压控震荡器的该转导值。

2.如权利要求1所述的压控震荡器，还包含：

一电流源，用来提供一偏压电流至该电感电容槽电路与该交叉耦合对电路中；

其中，当该第一开关单元导通时，该偏压电流流经该第三晶体管或该第四晶体管。

3.如权利要求2所述的压控震荡器，其中该第一晶体管的栅极耦接至该第二晶体管的漏级；以及该第二晶体管的栅极耦接至该第一晶体管的漏级。

4.如权利要求3所述的压控震荡器，其中该第三晶体管的栅极耦接至该第一晶体管的栅极；该第三晶体管的漏级耦接至该第一晶体管的漏级；该第三晶体管的源极耦接至该第一开关单元；该第四晶体管的栅极耦接至该第二晶体管的栅极；该第四晶体管的漏级耦接至该第二晶体管的漏级；以及该第四晶体管的源极耦接至该第一开关单元。

5.如权利要求2所述的压控震荡器，其中该电感电容槽电路包含：

一电感单元，具有一第一电感及第二电感，该第一电感与该第二电感耦接于该电流源；以及

一切换式电容单元，耦接于该电感单元，具有复数个电容及复数个相对应的第二开关，其中每一个第二开关用来控制所对应的电容。

6.如权利要求1所述的压控震荡器，其中该第一晶体管、该第二晶体管、该第三晶体管以及该第四晶体管各为一P型晶体管。

7.如权利要求1所述的压控震荡器，其中该第一晶体管、该第二晶体管、该第三晶体管以及该第四晶体管各为一N型晶体管。

8.如权利要求1所述的压控震荡器，还包含：

一第二交叉耦合对电路，耦接于该电感电容槽电路，具有以交叉耦合方式耦接的一第五晶体管及一第六晶体管；以及

一第二转导调整电路，用以依据一第三控制信号以调整该压控震荡器的该转导值，该第二转导调整电路包含：

一第七晶体管，耦接至该第五晶体管与一第三开关单元；以及

一第八晶体管，耦接至该第六晶体管与该第三开关单元；

其中，该第三控制信号控制该第三开关单元，控制是否将该第三开关单元导通，使得该第七晶体管实质上并联于该第五晶体管，该第八晶体管实质上并联于该第六晶体管，以调整该压控震荡器的该转导值。

9.如权利要求8所述的压控震荡器，其中该第一与该第三开关单元各具有至少一晶体管开关。

10.如权利要求8所述的压控震荡器，其中该第一晶体管、该第二晶体管、该第三晶体管以及该第四晶体管各为一P型晶体管，以及该第五晶体管、该第六晶体管、该第七晶体管以及该第八晶体管各为一N型晶体管。

11.如权利要求8所述的压控震荡器，其中该第一晶体管、该第二晶体管、该第三晶体管以及该第四晶体管各为一N型晶体管，以及该第五晶体管、该第六晶体管、该第七晶体管以及该第八晶体管各为一P型晶体管。

12.如权利要求1所述的压控震荡器，其设置于一频率合成器中(Frequency synthesizer)。