[发明专利]镀膜方法无效
| 申请号： | 200710203468.0 | 申请日： | 2007-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN101469404A | 公开（公告）日： | 2009-07-01 |
| 发明（设计）人： | 简士哲 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/32 | 分类号： | C23C14/32 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 镀膜 方法 | ||
1.一种镀膜方法，在镀膜过程中提供一个气体源和一个离子源，气体源用于 镀膜过程中的化学反应，离子源用于发射离子，以利用离子轰击效应辅助 镀膜，其特征在于：在开始镀第一层膜时，使用较小的离子源强度配合较 大的氧气通量，并以渐进式的方式将离子源强度慢慢增加，同时氧气通量 慢慢减小，然后在某一预设的离子源强度和氧气通量时维持第一时间段， 接着再将离子源强度慢慢减小，氧气通量慢慢增大，在另一预设的离子源 强度和氧气通量时维持第二时间段，然后离子源强度又开始慢慢增加，氧 气通量又开始慢慢减小，重复上述步骤直至镀膜完成。
2.如权利要求1所述的镀膜方法，其特征在于：至少在一次镀膜材料切换时 的气体通量大于镀膜过程中最小的气体通量。
3.如权利要求1所述的镀膜方法，其特征在于：在开始镀第一层膜时的离子 源强度小于后续镀膜过程中最大的离子源强度。
4.如权利要求1所述的镀膜方法，其特征在于：在开始镀第一层膜时的气体 通量大于后续镀膜过程中最小的气体通量。
5.如权利要求1所述的镀膜方法，其特征在于：至少在一次镀膜材料切换时 的离子源强度与镀膜过程中最大的离子源强度之间的变化为渐变。
6.如权利要求1所述的镀膜方法，其特征在于：所述气体源用于提供氧气。
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