[发明专利]图案化磁介质、磁记录介质和磁存储装置

说明书

技术领域

本发明涉及图案化磁介质、磁记录介质和磁存储装置。

背景技术

以前，作为计算机等的记录介质，大多使用了硬盘等的磁记录介质。最近，即使作为用于家庭电气化制品或手机等的记录介质，记录容量大的磁记录介质也越来越引人注目。伴随这样的磁记录介质的频繁使用，对于能以小的功耗记录的磁记录介质的需求越来越高。此外，对于磁记录介质来说，本来就谋求面记录密度的提高，但因尺寸缩减或超过现在的飞跃的记录容量增大等的缘故，要求进一步的面记录密度的提高。作为能实现这样的面记录密度的飞跃的提高的磁记录介质的候补，提出了图案化磁介质等的用凹凸图案形成了记录层的磁记录介质(例如，参照专利文献1)。

【专利文献1】特开2005-122876号公报

但是，由于具有磁记录介质与滑动器的距离逐年地变窄的趋势，故存在磁记录介质与滑动器碰撞而发生滑动器的破损或磁记录介质的表面的剥离等的不良情况的危险。因此，有必要预先做到即使磁记录介质与滑动器碰撞也不成为问题。特别是有必要预先使记录层的磁性材料在与基板表面平行的方向(以下称为基板表面方向)上难以变形。

发明者们为了解决上述课题，为了在具备基板和在上述基板的一个主面侧形成的软磁性基底膜、非磁性膜、中间膜、记录层、与上述记录层接触地形成的第一保护膜、与上述第一保护膜接触地形成的第二保护膜且上述记录层具有磁性膜与非磁性材料的凹凸图案接触地形成的图案结构的图案化磁介质中得到难以使上述记录层变形的方法而进行了锐意研究的结果，发现了在将上述第一保护膜和上述第三保护膜的主构成材料定为碳、将上述第二保护膜定为涂敷膜的情况下，上述磁性材料难以变形。再者，最好设置与上述第二保护膜接触地形成的以碳为主构成材料的第三保护膜。再者，发明者们发现了，将上述磁性膜的构成元素定为Co、Cr、Pt、将上述Cr的浓度定为大于等于15at.％、小于等于25at.％的浓度、将上述Pt的浓度定为大于等于10at.％、小于等于20at.％、将上述涂敷膜定为从由含有H的聚硅氧烷(HSQ)、含有甲基的聚硅氧烷(MSQ)、聚酰亚胺、聚酰胺酰亚胺、聚酰胺、DVS-BCB(联-乙烯-硅氧烷二苯基-环-丁烯)、聚对亚苯基二甲基C、聚对亚苯基二甲基N构成的组中选出的一种是有效的。

再有，在本说明书中，所谓主构成材料，意味着包含最多的原子百分比浓度的元素。

按照本发明，可提供即使磁记录介质与滑动器碰撞也难以对磁记录介质和滑动器发生不良情况的可靠性和功能良好的磁记录介质。

附图说明

图1是作为本发明中的第一实施例的图案化磁介质的剖面图。

图2是说明作为本发明中的第一实施例的图案化磁介质的记录层的制造工序的图。

图3是说明作为本发明中的第一实施例的图案化磁介质的记录层的制造工序的图。

图4是说明作为本发明中的第一实施例的图案化磁介质的记录层的制造工序的图。

图5是说明作为本发明中的第一实施例的图案化磁介质的记录层的制造工序的图。

图6是说明作为本发明中的第一实施例的图案化磁介质的记录层的制造工序的图。

图7是作为本发明中的第二实施例的图案化磁介质的剖面图。

图8是作为本发明中的第三实施例的图案化磁介质的剖面图。

图9是作为本发明中的第四实施例的具有晶粒结构的磁记录介质的剖面图。

图10是作为本发明中的第五实施例的磁存储装置的剖面图。

图11是从上面看作为本发明中的第五实施例的磁存储装置的概略图。

具体实施方式

以下根据在图中表示的实施例详细地说明本发明的实施方式。

【实施例1】