[发明专利]铁电存储装置及电子设备

权利要求书

1.一种铁电存储装置，包括：

第一电荷传送MISFET，连接在第一位线和第一节点之间；

第二电荷传送MISFET，连接在第二位线和第二节点之间；

第一电容，连接于所述第一节点；

第二电容，连接于所述第二节点；

第一p沟道型MISFET，连接在所述第一电荷传送MISFET和所述第一节点之间，所述第一p沟道型MISFET的栅极连接于所述第二节点；以及

第二p沟道型MISFET，连接在所述第二电荷传送MISFET和所述第二节点之间，所述第二p沟道型MISFET的栅极连接于所述第一节点。

2.根据权利要求1所述的铁电存储装置，其特征在于，

所述第一电荷传送MISFET及所述第二电荷传送MISFET分别是p沟道型MISFET。

3.根据权利要求1或2所述的铁电存储装置，其特征在于，

所述铁电存储装置还包括第一反相器和第二反相器，

所述第一反相器连接在所述第一位线和所述第一电荷传送MISFET的栅极之间，所述第一反相器的输入部通过第三电容与所述第一位线连接，所述第一反相器的输出部通过第四电容与所述第一电荷传送MISFET的栅极连接；

所述第二反相器连接在第二位线和所述第二电荷传送MISFET的栅极之间，所述第二反相器的输入部通过第五电容与所述第二位线连接，所述第二反相器的输出部通过第六电容与所述第二电荷传送MISFET的栅极连接。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的铁电存储装置，其特征在于，

所述铁电存储装置还包括：

第三p沟道型MISFET，连接在作为所述第一电荷传送MISFET和所述第一p沟道型MISFET的连接节点的第三节点和接地电位之间；以及

第四p沟道型MISFET，连接在作为所述第二电荷传送MISFET和所述第二p沟道型MISFET的连接节点的第四节点和接地电位之间。

5.根据权利要求4所述的铁电存储装置，其特征在于，

所述第三p沟道型MISFET及所述第四p沟道型MISFET被控制，以便在所述铁电存储装置的读出动作开始后，且一定期间之后，变为导通状态。

6.根据权利要求3所述的铁电存储装置，其特征在于，

所述铁电存储装置还包括：

第一n沟道型MISFET，连接在所述第一反相器的输出部和接地电位之间；以及

第二n沟道型MISFET，连接在所述第二反相器的输出部和接地电位之间。

7.根据权利要求6所述的铁电存储装置，其特征在于，

所述第一n沟道型MISFET及所述第二n沟道型MISFET被控制，以便在所述铁电存储装置的读出动作开始后，且一定期间之后，变为导通状态。

8.根据权利要求3所述的铁电存储装置，其特征在于，

所述铁电存储装置还包括：

第五p沟道型MISFET，连接在所述第一反相器的输入部和电源电位之间；以及

第六p沟道型MISFET，连接在所述第二反相器的输出部和电源电位之间。

9.根据权利要求8所述的铁电存储装置，其特征在于，

所述第五p沟道型MISFET及所述第六p沟道型MISFET被控制，以便在所述铁电存储装置的读出动作开始后，且一定期间之后，变为导通状态。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的铁电存储装置，其特征在于，

所述第一电容、所述第二电容是铁电电容。

11.根据权利要求1至9中任一项所述的铁电存储装置，其特征在于，

所述第一电容、所述第二电容是栅电容。

12.根据权利要求1至11中任一项所述的铁电存储装置，其特征在于，

在所述第一位线及所述第二位线上分别连接有铁电存储器。

13.根据权利要求1至11中任一项所述的铁电存储装置，其特征在于，

在所述第一位线上连接有铁电存储器，在所述第二位线上外加有参考电位。

14.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求1至13中任一项所述的铁电存储装置。